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ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

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Number modelo :2SD1899

Lugar del origen :Japón

Cantidad de orden mínima :10 PC

Condiciones de pago :T/T, Western Union, FIDEICOMISO

Capacidad de la fuente :10000pcs

Plazo de expedición :Común

Detalles de empaquetado :Bolso

Descripción :Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W a través del agujero TO-220

Corriente de colector (DC) :3A

Voltaje de la Colector-base :Las demás:

voltaje del Colector-emisor :Las demás:

voltaje de la Emisor-base :7V

Frecuencia :120MHz

Disposición del poder :2w

Polaridad del transistor :NPN

Gama de funcionamiento de los temporeros :-55C a 150C

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2SD1899 Transistores de NPN PNP Transistores de potencia de NPN de silicio

Descripción

·Baja tensión de saturación del colector

·100% de pruebas de avalancha

·Variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y un funcionamiento fiable

Las aplicaciones

·Aplicaciones de alta frecuencia de transición

Especificaciones

Categoría: BJT - Propósito general

Fabricante: RENESAS TECHNOLOGY

Corriente del colector (DC) : 3 (A)

Válvula de carga del colector: 60 V.

La tensión del colector-emitente: 60 V.

La tensión de base del emisor: 7 ((V)

Frécuencia: 120 (MHz)

Disposición de energía: 2 (W)

Instalación: montado en la superficie

Rango de temperatura de funcionamiento: -55 oC a 150 oC

Tipo de paquete: TO-252

Número de pines: 2 + Tab

Número de elementos: 1

Clasificación de temperatura de funcionamiento: militar

Categoría: Poder bipolar

Rad endurecido: No

Polaridad del transistor: NPN

Potencia de salida: no es necesaria ((W)

Configuración: único

La corriente continua de ganancia: 60@0.2A@2V/50@2A@2V

Etiquetas de productos:

npn epitaxial silicon transistor

mosfet array ic

igbt saturation voltage

Carro de la investigación 0