Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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3 Años
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

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Number modelo :W25N01GVZEIG
Lugar del origen :TW
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :10,000pcs
Plazo de expedición :en existencia 2-3days
Detalles de empaquetado :Carrete
Descripción :FLASH - memoria IC 1Gbit SPI del NAND (SLC) - entrada-salida 104 megaciclo 7 ns 8-WSON (8x6) del pat
PN :W25N01GVZEIG
Las marcas :WINBOND
originales :TW
Válvula de tensión :3V
MEMBORY :1G-BIT
Tipo de producto :SLC Nand Flash Memory IC
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W25N01GVZEIG 3V 1G-BIT SERIAL SLC NAND FLASH MEMORY con doble / cuádruple SPI

Puffer Read y Continuo Read

3V 1G-BIT
Serial SLC NAND con memoria flash
Es muy fácil de usar.
Puffer Read y Continuo Read
1Descripciones generales
La memoria flash NAND Serial SLC W25N01GV (1G-bit) proporciona una solución de almacenamiento para sistemas con
La familia W25N SpiFlash incorpora la popular interfaz SPI y el
Son ideales para sombrear el código a la RAM, ejecutando
El dispositivo opera en un solo sistema de control de velocidad (SPI) y en un único sistema de control de velocidad (SPI) que se utiliza para transmitir el código directamente desde el Dual/Quad SPI (XIP).
2.7V a 3,6V de alimentación con un consumo de corriente tan bajo como 25mA activo y 10μA en modo de espera.
Los dispositivos de la familia SpiFlash se ofrecen en paquetes de ahorro de espacio que eran imposibles de utilizar en el pasado para
la memoria flash NAND típica.
La matriz de memoria de 1Gbit W25N01GV está organizada en 65.536 páginas programables de 2.048 bytes cada una.
La página entera puede ser programada a la vez utilizando los datos del búfer interno de 2.048 bytes.
El W25N01GV tiene 1.024 bloques borrables.
El W25N01GV admite la interfaz periférica serie estándar (SPI), SPI doble/cuádruple I/O: reloj serie,
Chip Select, datos de serie I/O0 (DI), I/O1 (DO), I/O2 (/WP) e I/O3 (/HOLD).
104MHz son compatibles permitiendo tasas de reloj equivalentes de 208MHz (104MHz x 2) para la doble E/S y 416MHz
(104MHz x 4) para la E/S Quad cuando se utilicen las instrucciones de E/S Dual/Quad de lectura rápida.
El W25N01GV proporciona un nuevo modo de lectura continua que permite un acceso eficiente a toda la
Esta característica es ideal para aplicaciones de sombreado de código.
Un pin de retención, un pin de protección de escritura y una protección de escritura programable proporcionan una mayor flexibilidad de control.
Además, el dispositivo admite el fabricante estándar JEDEC e ID del dispositivo, un ID único de 2.048 bytes
página, una página de parámetros de 2.048 bytes y diez páginas OTP de 2.048 bytes.
Gestión de la memoria, ECC interna configurable por el usuario, gestión de bloques malos también están disponibles en
¿Qué es esto?
2. Características
• Nueva familia de memorias SpiFlash W25N
W25N01GV: 1G-bit / 128M-byte
¢ SPI estándar: CLK, /CS, DI, DO, /WP, /Hold
¢ SPI doble: CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /Hold
¢ Cuad SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3
Comando flash en serie compatible con SPI
• Flash NAND en serie de mayor rendimiento
Los relojes SPI estándar/dual/quad de 104 MHz
¢ 208/416MHz equivalente Dual/Quad SPI
Rate de transferencia continua de datos de 50 MB/s
El rendimiento de programación/borrado rápido
Más de 100.000 ciclos de borrado/programación
¢ Conservación de datos durante más de 10 años
• Modo de lectura continua y eficiente (1)
Método alternativo al modo de lectura del búfer
No hay necesidad de emitir datos de página entre los comandos de lectura
Permite el acceso directo a toda la matriz
• Baja potencia, amplio rango de temperaturas
¢ Alimentación única de 2,7 a 3,6 V
‡ 25 mA de corriente activa y 10 μA de corriente de espera
Rango de funcionamiento de -40°C a +85°C
• Arquitectura flexible con bloques de 128 KB
Borrado de bloque de 128K bytes
Métodos de carga de datos de página flexibles
• Características avanzadas
En el chip 1-bit ECC para la matriz de memoria
Los bits de estado del ECC indican los resultados del ECC.
¢ gestión de bloques deficiente y acceso a LUT (2)
Protección de escritura de software y hardware
¢ Bloqueo de la fuente de alimentación y protección OTP
2KB ID único y páginas de parámetros de 2KB
10 páginas OTP de 2 KB
• Envases que ahorran espacio
– 8-pad WSON 8x6-mm
¢ 16 pines SOIC 300 millas
️ 24 bolas TFBGA 8x6 mm
¢ Contactar a Winbond para otras opciones de paquete

Carro de la investigación 0