MT29F64G08CBABAWP: Memoria masiva plástica del chip de memoria 8GX8 PBF TSOP 3.3V de B Nand Flash IC

MT29F64G08CBABAWP:B Chip de memoria IC NAND FLASH 8GX8 PBF PLÁSTICO TSOP 3,3 V Almacenamiento masivo

Características

• Open NAND Flash Interface (ONFI) compatible con la norma 1.01

• Tecnología de células de un solo nivel (SLC)

• Organización tamaño de página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes) tamaño de página x16: 1056 palabras (1024 + 32 palabras) tamaño del bloque: 64 páginas (128K + 4K bytes) tamaño del plano:2 planos x 2048 bloques por plano ¢ Tamaño del dispositivo: 4Gb: 4096 bloques; 8Gb: 8192 bloques 16Gb: 16.384 bloques

• Rendimiento de E/S asíncrono ¥ tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)

• Desempeño de la matriz Lectura de página: 25μs 3 Página del programa: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3 Bloqueo de borrado: 700μs (TYP)

• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash

• Conjunto de comandos avanzados ️ Modo de caché de la página del programa4 ️ Modo de caché de la página de lectura4 ️ Modo programable de una sola vez (OTP) ️ Comandos de dos planos 4 ️ Operaciones de matriz entrelazada (LUN) ️ Identificador único de lectura ️ Bloqueo de bloqueo (1.8V solamente)

• El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar                                                                                                                       

• La señal Ready/Busy# (R/B#) proporciona un método de hardware para detectar la finalización de la operación

• WP# señal: Escribir proteger todo el dispositivo