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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Transceptor de bus octal Chip de circuito integrado de 3 estados 74HC245PW, 118

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Number modelo :74HC245PW

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :20000pcs

Plazo de expedición :1 día

Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles

Descripción :El transmisor-receptor, No-invirtiendo 1 elemento 8 mordido por el elemento 3-State hizo salir 20-TS

Característica 1 :Interfaz de autobús bidireccional octal

Característica 2 :No-inversión de 3 salidas del estado

característica 3 :Opciones múltiples del paquete

Característica 4 :Cumple con no. estándar 7A de JEDEC

Protección 1 del ESD :HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V

Protección 2 del ESD :El milímetro EIA/JESD22-A115-A excede 200 V

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1. Descripción general

El 74HC245;74HCT245 es un dispositivo CMOS Si-gate de alta velocidad y es compatible con clavijas con Schottky TTL de baja potencia (LSTTL).

El 74HC245;74HCT245 es un transceptor octal que presenta salidas compatibles con bus de 3 estados no inversoras en las direcciones de envío y recepción.El 74HC245;74HCT245 cuenta con una entrada de habilitación de salida (OE) para una fácil conexión en cascada y una entrada de envío/recepción (DIR) para control de dirección.OE controla las salidas para que los buses estén efectivamente aislados.

El 74HC245;74HCT245 es similar al 74HC640;74HCT640 pero tiene salidas verdaderas (no inversoras).

2. Características

■ Interfaz de bus bidireccional octal

■ Salidas de 3 estados no inversoras

■ Múltiples opciones de paquetes

■ Cumple con la norma JEDEC no.7A

■ Protección ESD:

◆ HBM EIA/JESD22-A114-B supera los 2000 V

◆ MM EIA/JESD22-A115-A supera los 200 V

■ Especificado de −40 °C a +85 °C y de −40 °C a +125 °C

3. Datos de referencia rápida

TIERRA = 0 V;T_amb= 25 °C;t_r= t_F= 6 ns

Símbolo	Parámetro	Condiciones	mínimo	tipo	máx.	Unidad
Tipo 74HC245
t_PHL, t_PLH	retardo de propagación An a Bn o Bn a An	C_L= 15pF; V_CC=5V	-	7	-	ns
C_I	capacitancia de entrada		-	3.5	-	pF
C_E/S	capacitancia de entrada/salida		-	10	-	pF
C_PD	capacitancia de disipación de potencia por transceptor	V_I= TIERRA a V_CC	[1] -	30	-	pF
Tipo 74HC245
t_PHL, t_PLH	retardo de propagación An a Bn o Bn a An	C_L= 15pF; V_CC=5V	-	10	-	ns
C_I	capacitancia de entrada		-	3.5	-	pF
C_E/S	capacitancia de entrada/salida		-	10	-	pF
C_PD	capacitancia de disipación de potencia por transceptor	V_I= TIERRA a V_CC− 1,5 V	[1] -	30	-	pF

[1]C_PDse utiliza para determinar la disipación de potencia dinámica (P_Den µW):

PAG_D= C_PD× V_CC²× f_i× N + ∑ (CL × V_CC²× fo) donde:

F_i= frecuencia de entrada en MHz;

F_o= frecuencia de salida en MHz;

C_L= capacitancia de carga de salida en pF;

V_CC= tensión de alimentación en V;

N = número de entradas conmutadas;

∑ (C_L× V_CC²× f_o) = suma de salidas.

4. Diagrama funcional

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