Chip de circuito integrado TC74ACT00FTEL QUAD 2 ENTRADA NAND GATE

Chip de circuito integrado TC74ACT00F QUAD 2 ENTRADA NAND GATE

El TC74ACT00 es una PUERTA NAND de 2 ENTRADAS CMOS avanzada de alta velocidad fabricada con puerta de silicio y tecnología C2MOS de cableado de metal de doble capa.

Logra una operación de alta velocidad similar a Bipolar Schottky TTL equivalente mientras mantiene la disipación de baja potencia CMOS.

Este dispositivo se puede utilizar como convertidor de nivel para conectar TTL o NMOS a CMOS de alta velocidad.Las entradas son compatibles con niveles de voltaje de salida TTL, NMOS y CMOS.

Todas las entradas están equipadas con circuitos de protección contra descargas estáticas o sobretensiones transitorias.

Características

Alta velocidad: tpd = 4,0 ns (típ.) a VCC = 5 V

Baja disipación de potencia: ICC = 4 μA (máx.) a Ta = 25 °C

Compatible con salidas TTL: VIL = 0,8 V (máx.) VIH = 2,0 V (mín.)

Impedancia de salida simétrica: |IOH|= LIO = 24 mA (min) Capacidad de conducir líneas de transmisión de 50 Ω.

Retardos de propagación equilibrados: tpLH ∼− tpHL

Pin y función compatibles con 74F00

Índices absolutos máximos

Nota 1: Exceder cualquiera de las clasificaciones máximas absolutas, incluso brevemente, conduce al deterioro del rendimiento del IC o incluso a la destrucción.El uso continuo bajo cargas pesadas (por ejemplo, la aplicación de alta temperatura/corriente/voltaje y el cambio significativo de temperatura, etc.) puede hacer que la confiabilidad de este producto disminuya significativamente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir, temperatura/corriente/voltaje de funcionamiento, etc.) están dentro de las clasificaciones máximas absolutas y los rangos de operación.Diseñe la confiabilidad apropiada después de revisar el Manual de confiabilidad de semiconductores de Toshiba ("Precauciones de manejo"/"Concepto y métodos de reducción") y los datos de confiabilidad individuales (es decir, informe de prueba de confiabilidad y tasa de falla estimada, etc.).

Nota 2: 500 mW en el rango de Ta = −40 a 65 °C.De Ta = 65 a 85 °C, se debe aplicar un factor de reducción de −10 mW/°C hasta 300 mW.

Rangos de funcionamiento (nota)

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