Transceptor RS-485 a prueba de fallas de ±60 V, 10 Mbps, protegido contra fallas
con protección ESD de ±15 kV
Descripción general
El transceptor RS-485/RS-422 protegido contra fallas MAX3443E cuenta con una protección de ±60 V contra fallas de señal en las líneas del bus de comunicación.Cada dispositivo contiene un controlador de línea diferencial con salida de tres estados y un receptor de línea diferencial con entrada de tres estados.La impedancia de entrada del receptor de 1/4 de unidad de carga permite hasta 128 transceptores en un solo bus.El dispositivo funciona con un suministro de 5 V a velocidades de datos de hasta 10 Mbps.Las verdaderas entradas a prueba de fallas garantizan una salida del receptor de lógica alta cuando las entradas del receptor están abiertas, en cortocircuito o conectadas a una línea de datos inactiva.
El circuito de intercambio en caliente elimina las transiciones falsas en el cable de datos durante la inicialización del circuito o la conexión a un backplane activo.Los circuitos limitadores de corriente de cortocircuito y de apagado térmico protegen al controlador contra la disipación de energía excesiva, y la protección ESD integrada de ± 15 kV elimina los costosos dispositivos de protección externos.
El MAX3443E está disponible en paquetes SO y PDIP de 8 pines, y se especifica en rangos de temperatura comerciales, industriales y automotrices.
Aplicaciones
Comunicaciones RS-422/RS-485
Redes Industriales
Sistemas de telecomunicaciones
Aplicaciones Automotrices
Controles de climatización
Características
* Protección contra fallas de ± 60 V
* Protección ESD de ±15kV
* Tasa de datos de 10 Mbps garantizada
* Permite hasta 128 transceptores en el bus
* Rango de entrada de modo común de -7 V a +12 V
* Verdaderas entradas de receptor a prueba de fallas
* Entradas intercambiables en caliente para aplicaciones de telecomunicaciones
* Rango de temperatura automotriz (-40 °C a +125 °C)
* Pinout estándar de la industria
Configuración de clavijas y circuito operativo típico
ÍNDICES ABSOLUTOS MÁXIMOS
Todos los voltajes referenciados con respecto a GND
CCV .................................................. ..........................................+7V
RE, DE, DI ............................................... ......-0.3V a (VCC + 0.3V)
A, B (Nota 1) ............................................... .............................±60V
R.O................................................. .............-0.3V a (VCC + 0.3V)
Disipación de potencia continua (TA = +70 °C)
SO de 8 pines (reducción de 5,9 mW/°C por encima de +70 °C) ...............471 mW
PDIP de 8 pines (reducción de 9,09 mW/°C por encima de +70 °C) ............ 727 mW
Rangos de temperatura de funcionamiento
MAX3443EC_ _ ................................................ ..0°C a +70°C
MAX3443EE_ _ ..............................................- 40°C a +85°C
MAX3443EA_ _ .............................................-40° C a +125°C
Rango de temperatura de almacenamiento .......................... -65 °C a +150 °C
Duración del Cortocircuito (RO, A, B) ..................................Continuo
Temperatura del plomo (soldadura, 10s) .................................+300°C
Nota 1: A, B debe terminarse con 54 Ω o 100 Ω para garantizar una protección contra fallas de ±60 V.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DE CC
(VCC = +4,75 V a +5,25 V, TA = TMIN a TMAX, a menos que se indique lo contrario. Los valores típicos son VCC = +5 V y TA = +25 °C).
| PARÁMETRO |
SÍMBOLO |
CONDICIONES |
MÍN. TÍPICO MÁX. |
UNIDADES |
| CONDUCTOR |
| Salida del controlador diferencial |
Vsobredosis |
Figura 1, RL= 50Ω |
2.0 VCC |
V |
| Figura 1, RL= 27Ω |
1.5 VCC |
|
Cambio en la magnitud de
Voltaje de salida diferencial
|
∆Vsobredosis |
Figura 1, RL = 50 Ω o 27 Ω (Nota 2) |
0.2 |
V |
|
Salida de modo común del controlador
Voltaje
|
Vjefe |
Figura 1, RL = 50 Ω o 27 Ω |
CCV / 2 3 |
V |
|
Cambio en la magnitud de
Voltaje de modo común
|
∆Vjefe |
Figura 1, RL = 50 Ω o 27 Ω (Nota 2) |
0.2 |
V |
| RECEPTOR |
| Corriente de entrada |
IA,B |
A,B |
DE = TIERRA, VCC= TIERRA, Vun, b= +12V |
250 |
µA |
| Vun, b= -7V |
-150 |
µA |
| Vun, b= ±60V |
±6 |
mamá |
|
Diferencial del receptor
Voltaje de umbral
|
VJU |
-7V ≤VCM≤ +12V |
-200 -50 |
mV |
| Histéresis de entrada del receptor |
∆VJU |
|
25 |
mV |
| LÓGICA DEL RECEPTOR |
| Salida de alto voltaje |
VOH |
figura 2, yoOH= -1,6 mA |
VCC- 0.6 |
V |
| Salida de bajo voltaje |
VOL |
figura 2, yoOL= 1mA |
0.4 |
V |
|
Corriente de salida de tres estados en
Receptor
|
IOZR |
0 ≤ VA, B ≤ VCC |
±1 |
µA |
| Resistencia de entrada del receptor |
REN |
-7V ≤VCM≤ +12V |
48 |
kΩ |
|
Cortocircuito de salida del receptor
Actual
|
IOSR |
0 ≤ VRO≤VCC |
±95 |
mamá |
| CONTROL |
| Alto voltaje de entrada de control |
VCIH |
DE, RE |
2.0 |
V |
|
Corriente de entrada DE Corriente Enclavada
Durante el primer DE Rising Edge
|
|
|
90 |
µA |
|
Corriente de entrada RE Corriente enclavada
Durante el primer borde descendente de RE
|
|
|
90 |
µA |
