Conductor lateral bajo de Chip High Voltage High And del circuito integrado electrónico del circuito integrado de L6386D
- CARRIL DE ALTO VOLTAJE HASTA 600V
- INMUNIDAD de dV/dt + - 50 V/nsec en GAMA DE TEMPERATURAS COMPLETA
- CAPACIDAD ACTUAL DEL CONDUCTOR: FUENTE de 400 mA, FREGADERO de 650 mA
- La TRANSFERENCIA MIDE EL TIEMPO de 50/30 nanosegundo RISE/FALL CON LA CARGA 1nF
- ENTRADAS DE DISPARADOR DE SCHMITT DE CMOS/TTL CON HISTÉRESIS Y TIRAR HACIA ABAJO
- EL VOLTAJE INFERIOR SE CIERRA HACIA FUERA EN UNA SECCIÓN DE CONDUCCIÓN MÁS BAJA Y SUPERIOR
- DIODO INTEGRADO DEL TIRANTE
- SALIDAS EN FASE CON LAS ENTRADAS
DESCRIPCIÓN
El L6386 es un dispositivo de alto voltaje, manufacturado con la tecnología “OFF-LINE” del BCD. Tiene una estructura del conductor que permita conducir a la independiente se refirió al MOS o a IGBT del poder del canal. La sección (flotante) superior se permite trabajar con el carril del voltaje hasta 600V. Las entradas de la lógica son CMOS/TTL compatibles para la facilidad de la interconexión con los dispositivos que controlan.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidad |
| Vout |
Voltaje de salida |
-3 a Vboot - 18 |
V |
| Vcc |
Voltaje de fuente |
- 0,3 a +18 |
V |
| Vboot |
Voltaje de fuente flotante |
-1 a 618 |
V |
| Vhvg |
Voltaje de salida superior de la puerta |
- 1 a Vboot |
V |
| Vlvg |
Un voltaje de salida más bajo de la puerta |
-0,3 a Vcc +0,3 |
V |
| VI |
Voltaje de entrada de la lógica |
-0,3 a Vcc +0,3 |
V |
| Vdiag |
Voltaje forzado del dren abierto |
-0,3 a Vcc +0,3 |
V |
| Vcin |
Voltaje entrado del comparador |
-0,3 a Vcc +0,3 |
V |
| dVout/dt |
Tarifa de ciénaga permitida de la salida |
50 |
V/ns |
| Ptot |
Disipación de poder total (Tj = °C) 85 |
750 |
mW |
| Tj |
Temperatura de empalme |
150 |
°C |
| Ts |
Temperatura de almacenamiento |
-50 a 150 |
°C |
Nota: La inmunidad del ESD para los pernos 12, 13 y 14 se garantiza hasta 900V (el modelo del cuerpo humano)
BLOQUE DIAGRAMA
CONEXIÓN DE PIN
