Diodos IC Chip BAS 85 de la electrónica del diodo de barrera de Schottky
Diodo de barrera de BAS85 Schottky
CARACTERÍSTICAS
• Voltaje delantero bajo
• Alto voltaje de avería
• Anillo de guardia protegido
• Pequeño paquete sellado herméticamente de SMD.
DESCRIPCIÓN
Diodo de barrera planar de Schottky con un anillo integrado de la protección contra descargas estáticas. Este diodo montado superficial se encapsula en un paquete de cristal sellado herméticamente de SOD80C SMD con los discos estañados del metal en cada extremo. Es conveniente para la “colocación automática” y como tal puede soportar soldar de la inmersión.
USOS
• Transferencia ultra de alta velocidad
• Fijación con abrazadera del voltaje
• Circuitos de protección
• Bloqueo de los diodos.
CONDICIONES DEL PARÁMETRO DEL SÍMBOLO
− MÁXIMO MÍNIMO 30 V del voltaje reverso continuo de la UNIDAD VR
SI − actual delantero continuo 200 mA
SI media (sistema de pesos americano) adelante actual VRWM = 25 V; a = 1,57; δ = 0,5;
nota 1; Fig.2 del − 200 del mA IFRM del pico ≤ actual repetidor 1 s del tp adelante; − 300 mA I del ≤ 0,5 del δ
Pico sin repetición del FSM adelante actual tp de = − 5 A 10 ms
°C de la temperatura de almacenamiento de Tstg −65 +150
°C del − 125 de la temperatura de empalme de Tj
Tamb que actúa el °C de la temperatura ambiente −65 +125
| SÍMBOLO |
PARÁMETRO |
CONDICIONES |
Max |
UNIDAD |
| VF |
Voltaje delantero |
SI =0.1mA
SI =1mA
SI =10mA
SI =30mA
SI =100mA
|
240
320
400
500
800
|
milivoltio
milivoltio
milivoltio
milivoltio
milivoltio
|
| IR |
|
Vr=25V |
2,3 |
UA |
| Cd |
capacitancia del diodo |
f=1 megaciclo Vr=1V |
10 |
PF |
