Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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3 Años
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Diodos de detector diagonales cero de Schottky del soporte superficial del diodo de rectificador de HSMS-2852-TR1G

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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Diodos de detector diagonales cero de Schottky del soporte superficial del diodo de rectificador de HSMS-2852-TR1G

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Number modelo :HSMS-2852-TR1G
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal, Western Union
Capacidad de la fuente :5200PCS
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Diodo RF Schottky - Conexión Serie 1 Par 2V SOT-23-3
Voltaje inverso máximo :2,0 V
TEMPERATURA DE EMPALME :150 ºC
Temperatura de almacenamiento :-65 a 150 °C
Temperatura de funcionamiento :°C 65 a 150
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Características

• Paquetes superficiales del soporte SOT-23/SOT-143

• Paquetes miniatura SOT-323 y SOT-363

• Alta sensibilidad de la detección: hasta 50 mV/µW en 915 megaciclos

• Ruido de parpadeo bajo: -162 dBV/Hz en 100 herzios

• FIT baja (fracaso a tiempo) Rate*

• Opciones de la cinta y del carrete disponibles

• Diodos hechos juego para el funcionamiento constante

• Conductividad mejor termal para la disipación de mayor potencia

• Opción sin plomo disponible

Descripción

La familia del HSMS-285x de Agilent de diodos de detector cero de Schottky del prejuicio se ha diseñado y se ha optimizado para el uso en la pequeña señal (Pin <-20 dBm="">

Nota importante:

Para los usos del detector con los niveles de la energía de entrada mayores que – el dBm 20, utiliza la serie de HSMS-282x en las frecuencias debajo de 4,0 gigahertz, y la serie de HSMS-286x en las frecuencias sobre 4,0 gigahertz. La serie de HSMS-285x NO SE RECOMIENDA para estos usos del nivel de mayor potencia.

Grados máximos absolutos, TC = +25°C, solo diodo

Símbolo Parámetro Unidad SOT-23/143 SOT-323/363
PIV Voltaje inverso máximo V 2,0 2,0
TJ Temperatura de empalme °C 150 150
TSTG Temperatura de almacenamiento °C -65 a 150 -65 a 150
TOP Temperatura de funcionamiento °C -65 a 150 -65 a 150
θjc Resistencia termal [2] °C/W 500 150

Parámetros típicos, solo diodo

Carro de la investigación 0