El transistor del Mosfet del poder de MGW12N120D aisló el transistor bipolar de la puerta con el diodo antiparalelo

Transistor bipolar aislado de la puerta con el diodo antiparalelo
Puerta de silicio del Aumento-modo del canal N

IGBT Y DIODO EN TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLTIOS
CORTOCIRCUITO CLASIFICADO

Este transistor bipolar aislado de la puerta (IGBT) co-se empaqueta con un rectificador ultrarrápido de la recuperación suave y utiliza un esquema de la terminación avanzada para proporcionar alta una capacidad de voltaje-bloqueo aumentada y confiable. El cortocircuito valoró IGBT se adapta específicamente para los usos que requerían un cortocircuito garantizado soportar tiempo tal como impulsiones del control de motor. Las características que cambian rápidas dan lugar a la operación eficiente en los de alta frecuencia. el espacio de la reserva de IGBT Co-embalado, reduce tiempo de montaje y coste.

• Paquete del poder más elevado TO-247 del estándar industrial con el agujero de montaje aislado
• Eoff de alta velocidad: ¿150? J/A típico en 125°C
• ¿Alta capacidad del cortocircuito – 10? mínimo de s
• El diodo que rueda libre de la recuperación suave se incluye en el paquete
• Terminación de alto voltaje robusta
• RBSOA robusto

GRADOS MÁXIMOS (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

(1) la anchura de pulso es limitada por temperatura de empalme máxima. Grado repetidor.

DIMENSIONES DEL PAQUETE



Oferta común (venta caliente)