Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
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Disipación de poder planar del circuito de rectificador del diodo Zener del silicio de 1N4753A 18v 1 W

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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Disipación de poder planar del circuito de rectificador del diodo Zener del silicio de 1N4753A 18v 1 W

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Number modelo :1N4753A
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :7800pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Diodo Zener 36 V 1 W ±5% Orificio pasante DO-204AL (DO-41)
Disipación de poder :1 W
TEMPERATURA DE EMPALME :℃ 200
Temperatura de almacenamiento :- 65 + al ℃ 200
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente :170 K/W
Voltaje delantero en SI = 200 mA :1,2 V
Paquete :DO-41
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Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
TPS54527DDAR 4829 TI 15+ SOP-8
TLC549CP 4821 TI 14+ DIP-8
UC285TDKTTT-ADJ 4511 TI 15+ TO-263-5
TPS7333QDR 7261 TI 15+ SOP-8
TS912IDT 6372 ST 15+ SOP-8
TL431BQDBZRQ1 4193 TI 16+ SOT23-3
TDA6060XS 4120 15+ TSSOP28
TYN640RG 3948 ST 15+ TO-220
TCRT5000L 8000 VISHAY 15+ DIP-4
TMS320F28335ZJZA 229 TI 15+ BGA176
TOP256YN 6281 PODER 15+ TO-220
TLP185GB 38000 TOSHIBA 16+ SOP-4
TS4990IST 10000 ST 15+ MSOP-8
MAX3223CDBR 10650 TI 16+ SSOP
MMA8452QR1 4405 FREESCALE 12+ QFN
PESD2CAN 30000 15+ BORRACHÍN
MAX1636EAP-T 6200 MÁXIMA 10+ SSOP
MAC8M 9873 EN 10+ TO-220
MJD117-1G 8000 EN 14+ TO-263
MAX1683EUK+T 6350 MÁXIMA 16+ BORRACHÍN
L3G4200D 2729 ST 15+ LGA16
PTN78020AAH 400 TI 15+ INMERSIÓN
MAX4214EUK+T 5968 MÁXIMA 10+ BORRACHÍN
MX25L12873FM2I-10G 4500 MXIC 15+ COMPENSACIÓN
ATTINY10-TSHR 3000 ATMEL 15+ SOT23
PTN78060WAD 980 TI 15+ INMERSIÓN
PIC18F2520-I/SO 4598 MICROCHIP 15+ COMPENSACIÓN
MC33269DR2-5.0 4554 EN 15+ COMPENSACIÓN
MCP3421AOT-E/CH 5302 MICROCHIP 16+ BORRACHÍN
MMBFJ108 10000 FAIRCHILD 16+ SOT-23

1N4727A… 1N4764A

DIODOS ZENER PLANARES DEL PODER DEL SILICIO

Grados máximos absolutos (TA = ℃ 25)

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Disipación de poder Ptot 1 1) W
Temperatura de empalme Tj 200
Gama de temperaturas de almacenamiento TS - 65 a + 200

1) Válido a condición de que las ventajas en una distancia de 8 milímetros del caso se guardan en la temperatura ambiente.

Características en TA = ℃ 25

Parámetro Símbolo Máximo. Unidad
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente RthA 170 1) K/W
Voltaje delantero en SI = 200 mA VF 1,2 V

1) Válido a condición de que las ventajas en una distancia de 8 milímetros del caso se guardan en la temperatura ambiente.

Características de Breakdowm

Tj=constant (pulsado)

Carro de la investigación 0