Electrónica componente de IC del microprocesador del transistor de Electrnocs del diodo de IPD60R380C6 Recitifier
Transistor de efecto de campo del semiconductor de óxido de metal del MOSFET
CARACTERÍSTICAS
• Extremadamente - pérdidas bajas debido a FOM bajo mismo Rdson*Qg y Eoss
• Aspereza muy alta de la conmutación • Fácil de utilizar/impulsión
• JEDEC1) calificó, galjanoplastia Pb-libre, halógeno free2)
Descripciones
transistor de poder del perno 3 600V CoolMOS™ C6 de la fuente del perno 1 de la puerta del perno 2 del dren IPD60R380C6, IPI60R380C6 IPB60R380C6, Rev. 2,0, 2009-08-27 de la hoja 2 de IPP60R380C6 IPA60R380C6 FinalData
1 descripción CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para los MOSFETs de alto voltaje del poder, diseñada según el principio del superjunction (SJ) y promovida por tecnologías.
La serie de CoolMOS™ C6 combina la experiencia del proveedor principal del MOSFET de SJ con la innovación de clase superior. Los dispositivos resultantes proporcionar todas las ventajas de un MOSFET rápido de la transferencia SJ mientras que no sacrifica facilidad de empleo.
Extremadamente - las pérdidas bajas de la transferencia y de la conducción hacen usos que cambian aún más eficientes, más compactos, el encendedor, y el refrigerador.
Usos
Etapas de PFC, etapas de PWM difícilmente que cambian y etapas resonantes de la transferencia PWM para e.g. la PC Silverbox, adaptador, LCD y PDP TV, iluminación, servidor, telecomunicaciones, UPS y solar.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1)
|
VDS @ Tj, 650 V máximos
RDS (encendido), 0,38 máximo
Qg, tipo 32 identificación del nC, pulso 30 A
ΜJ 400V 2,8 de Eoss @
Diodo di/dt 500 A/µs del cuerpo
|
| TRANSPORTE BC847BLT1 |
18000 |
EN |
CHINA |
| RC0805JR-0710KL |
35000 |
YAGEO |
CHINA |
| RC0805JR-071KL |
20000 |
YAGEO |
CHINA |
| DIODO DF06S |
3000 |
SEPT |
CHINA |
| CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB |
20000 |
TDK |
JAPÓN |
| DIODO US1A-13-F |
50000 |
DIODOS |
MALASIA |
| INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF |
10000 |
TDK |
JAPÓN |
| RES 470R el 5% RC0805JR-07470RL |
500000 |
YAGEO |
CHINA |
| RES 1206 los 2M el 1% RC1206FR-072ML |
500000 |
YAGEO |
CHINA |
| DIODO P6KE180A |
10000 |
VISHAY |
MALASIA |
| RES 1206 470R el 5% RC1206JR-07470RL |
500000 |
YAGEO |
CHINA |
| MUNICIÓN DE DIODO UF4007 |
500000 |
MIC |
CHINA |
| Transporte. ZXMN10A09KTC |
20000 |
ZETEX |
TAIWÁN |
RES 0805 4K7 el 5%
RC0805JR-074K7L |
500000 |
YAGEO |
CHINA |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 |
10000 |
LITE-ON |
TAIWÁN |
| TRANSPORTE MMBT2907A-7-F |
30000 |
DIODOS |
MALASIA |
| TRANSPORTE STGW20NC60VD |
1000 |
ST |
MALASIA |
| C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB |
500 |
TI |
TAILANDIA |
| C.I MC33298DW |
1000 |
MOT |
MALASIA |
| C.I MC908MR16CFUE |
840 |
FREESCAL |
MALASIA |
| C.I P8255A5 |
4500 |
INTEL |
JAPÓN |
| C.I HM6116P-2 |
5000 |
HITACHI |
JAPÓN |
| C.I DS1230Y- 150 |
2400 |
DALLAS |
FILIPINAS |
| Transporte. ZXMN10A09KTC |
18000 |
ZETEX |
TAIWÁN |
| TRIAC BT151-500R |
500000 |
|
MARRUECOS |
| C.I HCNR200-000E |
1000 |
AVAGO |
TAIWÁN |
| TRIAC TIC116M |
10000 |
TI |
TAILANDIA |
| DIODO US1M-E3/61T |
18000 |
VISHAY |
MALASIA |
| DIODO ES1D-E3-61T |
18000 |
VISHAY |
MALASIA |
| C.I MC908MR16CFUE |
840 |
FREESCAL |
TAIWÁN |
| C.I CD40106BE |
250 |
TI |
TAILANDIA |
| ACOPLADOR PC733H |
1000 |
SOSTENIDO |
JAPÓN |
| TRANSPORTE NDT452AP |
5200 |
FSC |
MALASIA |
| CI LP2951-50DR |
1200 |
TI |
TAILANDIA |
| CI MC7809CD2TR4G |
1200 |
EN |
MALASIA |
| DIODO MBR20200CTG |
22000 |
EN |
MALASIA |
| FUSIVEL 30R300UU |
10000 |
LITTELFUSEI |
TAIWÁN |
| C.I TPIC6595N |
10000 |
TI |
TAILANDIA |
| EPM7064STC44-10N |
100 |
ALTERA |
MALASIA |
| DIODO 1N4004-T |
5000000 |
MIC |
CHINA |
| C.I CD4060BM |
500 |
TI |
TAILANDIA |
| ACOPLADOR MOC3020M |
500 |
FSC |
MALASIA |
| DIODO W08 |
500 |
SEPT |
CHINA |
| C.I SN74HC373N |
1000 |
TI |
FILIPINAS |
| FOTOSENSOR LOS 2SS52M |
500 |
Honeywell |
JAPÓN |
| C.I SN74HC02N |
1000 |
TI |
TAILANDIA |
| C.I CD4585BE |
250 |
TI |
TAILANDIA |
| C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C |
40 |
MICRÓN |
MALASIA |
| DIODO MMSZ5242BT1G |
30000 |
EN |
MALASIA |
