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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Resistencia termal baja 100 MOSFETs CSD19533Q5A del poder de NexFET del canal N de V

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Number modelo :CSD19533Q5A

Lugar del origen :original

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :5200PCS

Plazo de expedición :1 día

Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles

Descripción :Canal N 100 V 100A (TA) 3.2W (TA), 96W (Tc) soporte 8-VSONP (5x6) de la superficie

Voltaje de la Dren-a-fuente :100 V

Total de la carga de la puerta (10 V) :27 nC

Puerta de la carga de la puerta a drenar :4,9 nC

Dren-a-fuente en resistencia :mΩ 8,7

Voltaje del umbral :2,8 V

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CARACTERÍSTICAS

• Qg y Qgd ultrabajos

• Resistencia termal baja

• Avalancha clasificada

• Galjanoplastia terminal Pb-libre

• RoHS obediente

• Halógeno libre

• HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

USOS

• Telecomunicaciones laterales primarias

• Rectificador síncrono lateral secundario

• Control de motor

DESCRIPCIÓN

Este 100 V, 7,8 mΩ, HIJO 5 milímetro x 6 milímetros NexFET™

el MOSFET del poder se diseña para minimizar pérdidas adentro

usos de la conversión de poder.

Información de la cinta y del carrete de Q5A

Notas:

1. tolerancia acumulativa ±0.2 de la agujero-echada 10-sprocket

2. Combe para no exceder 1 milímetro en 100 milímetros, más de 250 milímetros no cumulativos

3. Material: poliestireno estático-disipante negro

4. Todas las dimensiones están en el milímetro (salvo especificación de lo contrario)

5. A0 y B0 midieron en un avión 0,3 milímetros sobre la parte inferior del bolsillo