El transistor linear 2N5458 JFETs del Mosfet del poder llevó los chips CI de las televisiones
Agotamiento de fines generales del − de N−Channel del − de JFETs
Transistores de efecto de campo de empalme de N−Channel, modo de agotamiento (tipo A) diseñado para los usos audios y que cambian.
Características
• N−Channel para un aumento más alto
• Dren y fuente permutables
• Alta impedancia de entrada de la CA
• Alta resistencia de entrada CC
• Transferencia baja y capacitancia entrada
• Distorsión baja de Cross−Modulation y de intermodulación
• Paquete encapsulado plástico de Unibloc • Los paquetes de Pb−Free son Available*
GRADOS MÁXIMOS
| Grado |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
| Voltaje de Drain−Source |
VDS |
25 |
VDC |
| Voltaje de Drain−Gate |
VDG |
25 |
VDC |
| Voltaje reverso de Gate−Source |
VGSR |
−25 |
VDC |
| Corriente de la puerta |
IG |
10 |
mAdc |
| La disipación total del dispositivo @ TA = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C |
Paladio |
310 2,82 |
mW mW/°C |
| Temperatura de empalme de funcionamiento |
TJ |
135 |
°C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento |
Tstg |
−65 a +150 |
°C |
Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición ampliada a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo
INFORMACIÓN EL ORDENAR
Envío del paquete del dispositivo
unidades/caja de 2N5457 TO−92 1000
unidades/caja de 2N5458 TO−92 1000
2N5458G TO−92 (Pb−Free) 1000 unidades/caja
