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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Amplificador de fines generales del transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP del Mosfet del poder

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China Amplificador de fines generales del transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP del Mosfet del poder wholesale
  • China Amplificador de fines generales del transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP del Mosfet del poder wholesale

Amplificador de fines generales del transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP del Mosfet del poder
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Number modelo :KSP2907A
Lugar del origen :Filipinas
Cantidad de orden mínima :20
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :20000
Plazo de expedición :1
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW a través del agujero TO-92-3
Features2 :• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)
Características :• Voltaje del Colector-emisor: VCEO= 60V
Features3 :• Sufijo “- C” significa un colector de centro (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
Features4 :• No sufijo “- C” significa un colector lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
Features5 :• Disponible como PN2907A
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Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder

Características

• Voltaje del Colector-emisor: VCEO= 60V

• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)

• Sufijo “- C” significa un colector de centro (1.Emitter 2.Collector 3.Base)

• No sufijo “- C” significa un colector lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)

• Disponible como PN2907A

Grados máximos absolutos * TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Valor Unidades
VCBO Voltaje de la Colector-base -60 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -60 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
IC Corriente de colector -600 mA
TJ Temperatura de empalme +150 °C

Etiquetas de productos:

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