CANAL N 60V - 0.07Ω - MOSFET del PODER de 4A SOT-223 STripFET™ II
■RDS TÍPICO (encendido) = 0,07 Ω
■CAPACIDAD EXCEPCIONAL de dv/dt
■TECNOLOGÍA RUGOSA DE LA AVALANCHA
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■IMPULSIÓN BAJA DEL UMBRAL
DESCRIPCIÓN
Este MOSFET del poder es el último desarrollo del proceso tira-basado único de “solo Size™ de la característica” de STMicroelectronis. El transistor resultante muestra la densidad que embala extremadamente alta para el onresistance bajo, las características rugosas de la avalancha y los pasos menos críticos de la alineación por lo tanto una reproductibilidad de fabricación notable.
USOS
■DC-DC Y DC-AC COVERTERS
■CONTROL de MOTOR de DC (CONDUCTORES de DISCO, etc.)
■RECTIFICACIÓN SÍNCRONA
| TIPO |
VDSS |
RDS (encendido) |
Identificación |
| STN3NF06L |
60 V |
< 0="">
| 4 A |
LISTA COMÚN
| MC74HC04ADR2G |
40000 |
EN |
16+ |
COMPENSACIÓN |
| MT9M021IA3XTC |
748 |
EN |
15+ |
IBGA |
| MX25L25635FZ2I-10G |
6000 |
MXIC |
14+ |
WSON8 |
| MC74HC4066DR2 |
30000 |
MOT |
16+ |
COMPENSACIÓN |
| MCP23S17-E/SS |
5200 |
MICROCHIP |
16+ |
SSOP |
| MP9720DS |
5861 |
P.M. |
16+ |
COMPENSACIÓN |
| PT100S8 |
100 |
NIEC |
13+ |
MÓDULO |
| LTM10C209A |
448 |
TOSHIBA |
15+ |
LCD |
| MLP1N06CLG |
28000 |
EN |
16+ |
TO-220 |
| LT1461BCS8-2.5 |
9862 |
LT |
15+ |
SOP-8 |
| MOC3023SR2M |
10000 |
FAIRCHILD |
16+ |
COMPENSACIÓN |
| MJ15025G/MJ15024G |
2125 |
EN |
14+ |
TO-3 |
| P4SMAJ12A |
25000 |
PANJIT |
16+ |
DO-214AC |
| NCP3334DADJR2G |
12800 |
EN |
16+ |
SOP-8 |
| XC4VFX60-11FFG1152C |
100 |
XILINX |
15+ |
BGA |
| LPC1342FHN33 |
4122 |
|
15+ |
HVQFN-33 |
| LT1934ES6-1 |
11534 |
LINEAR |
16+ |
SOT-23-6 |
| MB91F267APMC-GE1 |
3714 |
FUJITSU |
14+ |
QFP |
| PESD12VS1UB |
25000 |
|
16+ |
CÉSPED |
| PESD5V0S1UB |
25000 |
|
16+ |
CÉSPED |
| LM2903VDR2G |
10000 |
EN |
12+ |
SOP-8 |
| LPC1311FHN33 |
3642 |
|
11+ |
HVQFN-33 |
| LM2903DR2G |
40000 |
EN |
14+ |
SOP-8 |
| LM358D2G |
25000 |
EN |
14+ |
SOP-8 |
| LM2941LD |
1000 |
NSC |
13+ |
QFN |
