Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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3 Años
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TRANSISTOR del transistor del Mosfet del poder del módulo del mosfet del poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | CANAL N | TO-252AA

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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TRANSISTOR del transistor del Mosfet del poder del módulo del mosfet del poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | CANAL N | TO-252AA

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Number modelo :STD4NK60ZT4
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :8700pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Soporte DPAK de la superficie 70W (Tc) del canal N 600 V 4A (Tc)
voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) :600 V
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) :600 V
Voltaje de fuente de puerta :± 30 V
Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta :3000 V
Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo :4,5 V/ns
Temperatura de empalme de funcionamiento :°C -55 a 150
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STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

CANAL N 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK
MOSFET Zener-protegido de SuperMESHTMPower

■Ω TÍPICO 1,76 del RDS (encendido) =
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ
■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS
■BUEN REPEATIBILITY DE FABRICACIÓN MISMO

DESCRIPCIÓN
La serie de SuperMESHTM se obtiene con una optimización extrema de la disposición stripbased establecida de PowerMESHTM del ST. Además de empujar en-resistencia perceptiblemente hacia abajo, el cuidado especial se toma para asegurar una capacidad muy buena de dv/dt para los usos más exigentes. Tal serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje incluyendo los productos revolucionarios de MDmeshTM.

USOS
TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD
■IDEAL PARA LAS FUENTES DE ALIMENTACIÓN OFF-LINE, LOS ADAPTADORES Y PFC
■ILUMINACIÓN

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

SímboloParámetroValorUnidad
STP4NK60Z STB4NK60ZSTP4NK60ZFPSTD4NK60Z STD4NK60Z-1
VDSvoltaje de la Dren-fuente (VGS = 0)600V
VDGRvoltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20)600V
VGSVoltaje de fuente de puerta± 30V
IdentificaciónDrene actual (continuo) en TC = 25°C44 (*)4
IdentificaciónDrene actual (continuo) en TC = 100°C2,52,5 (*)2,5
IDM (l)Corriente del dren (pulsada)1616 (*)16
PTOTDisipación total en TC = 25°C702570W
Reducir la capacidad normal de factor0,560,20,56W/°C
VESD (G-S)Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta3000V
dv/dt (1)Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo4,5V/ns
VISOEl aislamiento soporta el voltaje (DC)-2500-V

Tj

Tstg

Temperatura de empalme de funcionamiento

Temperatura de almacenamiento

-55 a 150

-55 a 150

°C

°C

(l) anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
(1) DSI ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) limitó solamente por la temperatura máxima permitida



Oferta común (venta caliente)

Número de parte.Q'tyMFGD/CPaquete
LMV931MG3299NSC15+SC70-5
MC33887VM3328Bujía métrica16+HSOP
OPA277PA7240TI15+INMERSIÓN
LT1114S14#TR5182LT10+SOP-14
MC44BS373CADR23544FREESCALE10+COMPENSACIÓN
MAX5024LASA+14550MÁXIMA16+COMPENSACIÓN
LNBH23LQTR1272ST14+QFN-32
88E6185-A2-LKJ1C0001211MARVELL15+QFP
LM348MX6789NSC13+SOP-14
AZ1084CD-ADJTRG11500BCD13+TO-252
LP3990MFX-3.34682NSC15+SOT-23-5
PIC16F616T-I/ML5163MICROCHIP16+QFN
AAT4280IGU-1-T14000ANALÓGICO15+SOT23
PAM3116BLBADJR10800PAM16+COMPENSACIÓN
L1117LG10000NIKOS15+SOT-223
MMBFJ310LT1G10000EN16+SOT-23
LMV824MX/NOPB4163NSC14+SOP-14
MAX-7Q-0-0007492MÁXIMA14+GPS
LM2907MX-81000NSC14+SOP-8
OM8744HN574016+QFN
PIC16F1939-I/PT5223MICROCHIP16+QFP




Carro de la investigación 0