Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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3 Años
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El módulo del mosfet del poder MRF9030GNR1 acciona los TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF del transistor del Mosfet

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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El módulo del mosfet del poder MRF9030GNR1 acciona los TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF del transistor del Mosfet

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Number modelo :MRF9030
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :7800pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :GAVIOTA del Mosfet TO-270-2 del RF
Voltaje de la Dren-fuente :68 VDC
Voltaje de la Puerta-fuente :– 0,5, +15 VDC
Gama de temperaturas de almacenamiento :– °C 65 a +200
Temperatura de empalme de funcionamiento :200 °C
Capacitancia entrada :49,5 PF
Capacitancia de salida :26,5 PF
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La línea del MOSFET del submicron del RF

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DEL PODER DEL RF

MOSFETs laterales del Aumento-modo del canal N

945 megaciclos, 30 W, 26 MOSFETs DE BANDA ANCHA del PODER del RF del CANAL N del LATERAL de V

Diseñado para los usos comerciales e industriales de banda ancha con frecuencias hasta 1,0 gigahertz. La alta ganancia y el funcionamiento de banda ancha de estos dispositivos los hacen ideales para la grande-señal, usos del amplificador de la común-fuente en el equipo de la estación base de 26 voltios.

• Dos típicos Tone Performance en 945 megaciclos, 26 voltios

De potencia de salida — 30 vatios de PEP

Aumento del poder — DB 19

Eficacia — 41,5%

IMD — – dBc 32,5

• Protección integrada del ESD

• Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la inserción

• Capaz de manejar el 10:1 VSWR, @ 26 VDC, 945 megaciclos, 30 vatios de CW de potencia de salida

• Estabilidad termal excelente

• Caracterizado con parámetros equivalentes de la impedancia de la Grande-señal de la serie

• En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carrete de 13 pulgadas.

GRADOS MÁXIMOS

Grado Símbolo Valor Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDSS 68 VDC
Voltaje de la Puerta-fuente VGS – 0,5, +15 VDC

Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C MRF9030R1

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

Paladio

92

0,53

Vatios

W/°C

Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C MRF9030SR1

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

Paladio

117

0,67

Vatios

W/°C

Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg – 65 a +200 °C
Temperatura de empalme de funcionamiento TJ 200 °C

DIMENSIONES DEL PAQUETE

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
BFU710F 15000 15+ SOT-343
PIC16F526-I/SL 5193 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
LM810M3X-4.63 10000 NSC 15+ SOT-23-3
M95020-WMN6TP 10000 ST 16+ COMPENSACIÓN
M93S46-WMN6 4686 ST 10+ COMPENSACIÓN
MCT61 10000 FSC 16+ DIP-8
MAX809LEUR+T 10000 MÁXIMA 16+ BORRACHÍN
52271-2079 3653 MOLEX 15+ conector
ZVP3306FTA 9000 ZETEX 15+ SOT23
MBR10100G 15361 EN 16+ TO-220
NTR2101PT1G 38000 EN 16+ SOT-23
MBRD640CTT4G 17191 EN 16+ TO-252
NTR4501NT1G 38000 EN 15+ SOT-23
LM8272MMX 1743 NSC 15+ MSOP-8
NDT014 10000 FAIRCHILD 14+ SOT-223
LM5007MM 1545 NSC 14+ MSOP-8
NRF24L01+ 3840 NÓRDICO 10+ QFN
MI1210K600R-10 30000 ADMINISTRADOR 16+ SMD
A3144E 25000 ALLEGRO 13+ TO-92
MP3V5004DP 5784 FREESCALE 13+ COMPENSACIÓN

Carro de la investigación 0