Los usos típicos son los convertidores de DC−DC, gestión del poder en productos portátiles y battery−powered tales como ordenadores, impresoras, tarjetas de PCMCIA, celular y los teléfonos inalámbricos.

Características

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

• Voltaje bajo del umbral (VGS (th):

0,5 V−1.5 V) hacen ideal para los usos de la baja tensión

• El paquete superficial miniatura del soporte SOT−23 ahorra el espacio del tablero

NOTAS:

1. DIMENSIONALIZACIÓN Y TOLERANCING POR ANSI Y14.5M, 1982.

2. DIMENSIÓN QUE CONTROLA: PULGADA.

3. EL GRUESO MÁXIMO DE LA VENTAJA INCLUYE GRUESO DEL FINAL DE LA VENTAJA. EL GRUESO MÍNIMO DE LA VENTAJA ES EL GRUESO MÍNIMO DE LA MATERIA PRIMA.

4. 318−03 Y −07 OBSOLETOS, NUEVO 318−08 ESTÁNDAR.

GRADOS MÁXIMOS (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Grado	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje de Drain−to−Source	VDSS	50	VDC
− del voltaje de Gate−to−Source continuo	VGS	± 20	VDC
Disipación de poder total @ TA = 25°C	Paladio	225	mW
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento	TJ, Tstg	− 55 a 150	°C
− Junction−to−Ambient de la resistencia termal	RJA	556	°C/W
Temperatura máxima de la ventaja para los propósitos que sueldan, por 10 segundos	TL	260	°C

MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Microprocesadores del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de poder de IGBT

Chips CI del amplificador

chips CI electrónicos

Componentes electrónicos

MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

MOSFET del poder 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

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