Productos proveedores Sign in Register

ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

GRUPO DE CHONGMING (HK) CO. INTERNACIONAL, LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
4 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitar un presupuesto
Español
Casa / Productos / Electronic IC Chips /

Transistor de fines generales del transistor NPN del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BC548B

Categorías de Producto

Chip CI de memoria Flash

 [2187]

Chip CI programable

 [124]

Chips CI del ordenador

 [27]

Conductor ICs del LED

 [40]

Gestión ICs del poder

 [881]

Chips de circuito integrado

 [2861]

Unidad de microcontrolador MCU

 [419]

Conductor ICs de la exhibición

 [360]

Módulo de potencia IGBT

 [140]

Chips CI del amplificador

 [327]

chips CI electrónicos

 [2775]

Componentes electrónicos

 [272]
Contacta
ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
Ver detalles de contacto
Contacta
China Transistor de fines generales del transistor NPN del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BC548B wholesale
  • China Transistor de fines generales del transistor NPN del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BC548B wholesale

Transistor de fines generales del transistor NPN del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BC548B
Preguntar último precio
Number modelo :BC548B
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :8500pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 500 mW a través del agujero TO-92
Corriente de colector continua :mAdc 100
Substrato total del alúmina de la disipación del dispositivo, TA = 25℃ :625 mW/℃
TJ :℃ -55 a +150
Voltaje de avería de la Emisor-base :6 VDC
Paquete :TO-92
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Transistor de fines generales de NPN

Grados máximos (TA=25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Grado Símbolo BC546 BC547 BC548 Unidad
Voltaje del Colector-emisor VECO 65 45 30 VDC
Voltaje de la Colector-base VCBO 80 50 30 VDC
Voltaje de la Emisor-base VEBO 6 6 6 VDC
Corriente de colector continua IC 100 mAdc

CARACTERÍSTICAS TERMALES

Características Símbolo Máximo Unidad
Substrato total del alúmina de la disipación del dispositivo, TA = 25℃

BC546

BC547

BC548

 Paladio 625 mW/℃
Empalme y almacenamiento, temperatura

BC546

BC547

BC548

 TJ, Tstg -55 a +150 ℃

Dimensiones del esquema TO-92

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
PMBF4391 20000 12+ SOT-23
M21L216128A-10T 4738 ESMT 16+ TSOP
LM308N 1000 NSC 15+ DIP-8
LTM8027IV#PBF 1112 LT 15+ LGA
LM2936Z-5.0 4543 NSC 14+ TO-92
MC9S08GT8ACFBE 4582 FREESCALE 10+ QFP
MC68HC908MR16CFU 3802 FREESCALE 10+ QFP
LP2983AIM5-1.2 30000 NSC 15+ SOT-23-5
LM317AT/NOPB 2486 TI 13+ TO-220
LTC1386CS#TRPBF 5274 LT 15+ COMPENSACIÓN
MSD42SWT1G 25000 EN 16+ SOT-323
6MBP30RH060 493 FUJI 16+ MÓDULO
MMBT6517LT1G 20000 EN 16+ SOT-23
NY24W-K 5400 FUJITSU 16+ INMERSIÓN
MMSZ9V1T1 20000 EN 16+ SOD-123
LTC1383CS#PBF 5230 LINEAR 14+ COMPENSACIÓN
CSR1010A05-IQQM-R 2146 CSR 15+ QFN32
LM833DT 10000 ST 14+ SOP-8
MRMS301A 10000 NEC 16+ SOT-323
LM747CN 2234 NSC 14+ DIP-14
PIC18F4520-I/P 4473 MICROCHIP 16+ QFP

Etiquetas de productos:

npn power transistor list

2a npn transistor

npn type transistor
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4