ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

GRUPO DE CHONGMING (HK) CO. INTERNACIONAL, LTD.

Manufacturer from China
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SI7336ADP-T1-E3 mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja del MOSFET del canal N 30-V (D-S)

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ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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SI7336ADP-T1-E3 mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja del MOSFET del canal N 30-V (D-S)

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Number modelo :SI7336ADP-T1-E3
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :290PCS
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Vds :30 voltios
Vgs :± 20 V
Identificación :30 A
IDM :70 A
es :4,5 A
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MOSFET del canal N 30-V (D-S)


CARACTERÍSTICAS

• disponible Halógeno-libre

• En-resistencia ultrabaja usando GEN de alta densidad II de TrenchFET® Tecnología del MOSFET del poder

•Qg optimizó

• Nuevo paquete bajo de PowerPAK® de la resistencia termal con punto bajo perfil de 1,07 milímetros

• El 100% Rg probado

• El 100% UIS probado

USOS

• Conversión del Bajo-lado DC/DC

- Cuaderno

- Servidor

- Puesto de trabajo

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS TA = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente

Parámetro Símbolo Límites Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDS

30

V
Voltaje de la Puerta-fuente VGS ± 20

Corriente continua del dren (TJ = °C 150) a TA = °C 25

TA = °C 70

Identificación

30

25

Corriente pulsada del dren (anchura de pulso de 10 µs) IDM 70
Corriente de fuente continua (conducción) del diodo a ES 4,5
Corriente de la avalancha L = 0,1 Mh IAS 50

Poder máximo Dissipationa TA = °C 25

TA = °C 70

Paladio

5,4

3,4

W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento TJ, Tstg - 55 a 150 °C
Recomendaciones que sueldan (temperatura máxima) b, c 260

LISTA COMÚN

LA1823 3994 SANYO 16+ DIP-24
PCA82C250T 11860 16+ COMPENSACIÓN
P1553ABL 8700 LITTELFUS 16+ TO-220
PIC32MX795F512L-80I/PF 1500 MICROCHIP 15+ TQFP-100
MC7805CDTRK 10000 EN 16+ BORRACHÍN
LM4755T 975 NSC 14+ TO-263
M93C06-MN6T 10000 ST 16+ COMPENSACIÓN
NAND128W3A2BN6E 5680 ST 16+ TSOP
PMEG3005EH 25000 15+ SOD-123
LA4270 2641 SANYO 15+ ZIP-10
BTB24-600BWR 3389 ST 14+ TO-220
PKG4428PI 80 ERICSSON 02+ SMD
LTC4252-2IMS 6402 LINEAR 15+ MSOP-10
LA4445 6010 SANYO 15+ SIP-12
PN100 5000 FSC 16+ TO-92
MAT01GH 2200 ANUNCIO 15+ PODER
MIW3023 404 MINMAX 16+ INMERSIÓN
ATXMEGA64A3-AU 500 ATMEL 10+ QFP64
ATXMEGA64A1-AU 1000 ATMEL 12+ TQFP100
LM2841XMKX-ADJ 3000 TI 14+ TSOT-23-6
LTC2250CUH 1655 LINEAR 14+ QFN
P1014AP06 8580 EN 16+ INMERSIÓN
ZTX550STOA 3000 ZETEX 12+ TO-92
MIC29301-5.0BU 6424 MICREL 16+ TO-263
ML4800CP 11000 FAIRCHILD 16+ INMERSIÓN
LTC1257CS8 15098 LINEAR 16+ COMPENSACIÓN
NBB-500 6480 RFMD 15+ SMT
M51207L 3438 MIT 15+ SORBO
M54525P 3269 MIT 16+ INMERSIÓN
MCP3208-CI/SL 5296 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
PTH08T240WAD 500 TI 14+ INMERSIÓN
MAX9602EUG 2603 MÁXIMA 14+ TSSOP
OP184ES 5920 ANUNCIO 16+ COMPENSACIÓN
LMP8640MKE-F/NOPB 3853 TI 15+ SOT-6
LT6350IMS8 4990 LINEAR 15+ MSOP
LTC3612EFE 6649 LINEAR 16+ TSSOP
PM7226HP 800 ADI 08+ DIP-20
LM833MM 3896 NSC 14+ MSOP-8
PGH1008AM 1370 NIEC 14+ MÓDULO
NCP1337DR2G 10960 EN 16+ SOP-7
NCP1203D60R2G 10720 EN 16+ COMPENSACIÓN
ZXMP3A17E6TA 6000 ZETEX 15+ SOT23-6
MAX3083ESD 9400 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
NFE61PT102E1H9L 10000 MURATA 16+ SMD
ZXMN3A03E6TA 9000 ZETEX 15+ SOT23-6
LM2937ES-5.0 6354 NSC 14+ TO-263
OB3316QPA 5680 ON-BRIGHT 16+ COMPENSACIÓN
151007 310 HITACHI 10+ SOP-20
Carro de la investigación 0