LISTA COMÚN
| NC7SZ04M5X |
5000 |
FAIRCHILD |
15+ |
SOT23-5 |
| PCA82C251 |
5000 |
|
12+ |
SOP-8 |
| PZTA42T1G |
5000 |
EN |
16+ |
SOT223 |
| RBV5006 |
5000 |
EIC |
12+ |
RBV-4 |
| RUEF250 |
5000 |
RAYCHEM |
16+ |
INMERSIÓN |
| ST3232ECDR |
5000 |
ST |
16+ |
SOP-16 |
| SW-289 |
5000 |
MA/COM |
16+ |
SOP14 |
| TL072CDR |
5000 |
TI |
16+ |
SOP8 |
| TL7705BCP |
5000 |
TI |
16+ |
SOP8 |
| TPS2041BDBVR |
5000 |
TI |
14+ |
SOT23-5 |
| TPS5430DDAR |
5000 |
TI |
16+ |
SOP8 |
| TCT DE UCLAMP0511P |
5000 |
SEMTECH |
16+ |
MICREL |
| ULN2003ADRG3 |
5000 |
TI |
15+ |
SOP16 |
| SN75C1406N |
5002 |
TI |
16+ |
SOP-16 |
| B340A-13-F |
5008 |
DOIDES |
15+ |
SMA |
| REG1117-3.3 |
5008 |
BB |
12+ |
SOT223 |
| SST25VF032B-80-4I-S2AF |
5010 |
SST |
16+ |
SOP8 |
| TPS79730DCKR |
5018 |
TI |
12+ |
SC70-5 |
| 2SC3355 |
5100 |
NEC |
16+ |
TO-92 |
| DAC0808LCN |
5100 |
NSC |
16+ |
DIP16 |
| FDS4435 |
5100 |
FAIRCHILD |
16+ |
SOP-8 |
| LT1963EST-2.5 |
5100 |
LT |
16+ |
SOT-223 |
| X5045P |
5100 |
XICOR |
16+ |
DIP8 |
| DAC7554IDGS |
5110 |
TI |
14+ |
MSOP-10 |
| AM26LV32IDR |
5120 |
TI |
16+ |
SOP16 |
| CS51412EDR8G |
5120 |
EN |
16+ |
SOP8 |
| LM2940T-12 |
5120 |
NS |
15+ |
TO-220 |
| LM6132BIMX |
5120 |
NS |
16+ |
SOP8 |
| RC5057M |
5120 |
FAIRCHILD |
15+ |
SOP16 |
| SN75ALS180DR |
5120 |
TI |
12+ |
SOP-14 |
| UGN3503UA |
5120 |
ALLEGRO |
16+ |
TO-92 |
| BD241C |
5123 |
FSC |
12+ |
TO-220 |
IRFR9214
Mosfet de fines generales del mosfet del poder linear del MOSFET del poder
CARACTERÍSTICAS
• P-canal
• Soporte superficial (IRFR9214/SiHFR9214)
• Ventaja recta (IRFU9214/SiHFU9214)
• Tecnología de proceso avanzada
• Transferencia rápida
• Completamente avalancha clasificada
• Ventaja (Pb) - disponible libre
DESCRIPCIÓN
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder son bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos. El DPAK se diseña para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU/SiHFU) está para el montaje del por-agujero
usos. Niveles hasta 1,5 W de la disipación de poder
sea posible en usos superficiales típicos del soporte.
