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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de IRF7240TRPBF

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Number modelo :IRF7240TRPBF

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :8600pcs

Plazo de expedición :1 día

Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles

Descripción :MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO

Voltaje de la fuente del dren :-40 V

Corriente continua del dren :-10,5 A

Corriente pulsada del dren :-43 A

Disipación de poder :2,5 W

Factor que reduce la capacidad normal linear :20 mW/°C

Voltaje de la Puerta-a-fuente :± 20 V

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Oferta común (venta caliente)

Número de parte.

Cantidad

Marca

D/C

Paquete

NDT456P	5000	FAIRCHILD	16+	SOP8
OB2268CCPA	5000	OB	16+	SOP8
P2003EVG	5000	NIKOS	13+	SOP8
P6SMB27CA	5000	VISHAY	15+	SMB
P89LPC932A1FDH	5000		16+	TSSOP
PC400J00000F SOP-5	5000	SOSTENIDO	16+	SOP-5
PIC16C711-04/P	5000	MICROCHIP	14+	DIP-18
PIC16F716-I/P	5000	MICROCHIP	14+	DIP-18
PIC16F84A-04I/SO	5000	MICROCHIP	14+	SOP18
PIC16F886-I/SP	5000	MICROCHIP	16+	INMERSIÓN
PIC18F4431-I/PT	5000	MICROCHIP	16+	TQFPQFP
RFD15P05SM	5000	INTERSIL	13+	TO-252
RT8010GQW	5000	RICHTEK	15+	WDFN
SFH6156-4	5000	VISHAY	16+	SOP4
SI4880DY-T1-E3	5000	VISHAT	16+	SOP-8
SLF6028T-100M1R3-PF	5000	TDK	14+	SMD
SM15T15A	5000	ST	14+	DO-214AB
SM6S24A	5000	VISHAY	14+	DO-218
SMAJ15A	5000	VISHAY	16+	SOD-214A
SMBJ6.0A	5000	VISHAY	16+	SMB
SMCJ54A-E3	5000	VISHAY	13+	DO-214A
SN74AHC123ADR	5000	TI	15+	SOP-16
SN74HC132N	5000	TI	16+	COMPENSACIÓN
TI 0401 DE SN74HC148N	5000	TI	16+	SOP-16
ST232ABDR	5000	ST	14+	SMD
ST232CWR	5000	ST	14+	SOP16
STM8S103F2P6	5000	ST	14+	SSOP
STP75NF75	5000	ST	16+	TO-220
STTH1R06U	5000	ST	16+	SMB
STU309D	5000	SAMHOP	13+	SOT-252

IRF7240PbF

¿HEXFET? MOSFET del poder

¿En-resistencia ultrabaja?
¿MOSFET del P-canal?
¿Soporte superficial?
¿Disponible en cinta y carrete?
Sin plomo

VDSS	RDS _(encendido) máximo	Identificación
-40V	0.015@VGS = -10V	-10.5A
-40V	0.025@VGS = -4.5V	-8.4A

Descripción

Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - la en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en usos de la gestión de la batería y de la carga.

El SO-8 se ha modificado a través de un leadframe modificado para requisitos particulares para las características aumentadas y la capacidad termales del múltiple-dado que lo hacía ideal en una variedad de usos del poder. Con estas mejoras, los dispositivos múltiples se pueden utilizar en un uso con el espacio dramáticamente reducido del tablero. El paquete se diseña para la fase de vapor, el infrarrojo, o la técnica que suelda de la onda

¿? Grados máximos absolutos

	Parámetro	Máximo.	Unidades
VDS	Voltaje de la fuente del dren	-40	V
Identificación @ TA = 25°C	Corriente continua del dren, VGS @ -10V	-10,5
Identificación @ TA = 70°C	Corriente continua del dren, VGS @ -10V	-8,6
IDM	Corriente pulsada del dren	-43
Paladio @TA = 25°C	Disipación de poder	2,5	W
Paladio @TA = 70°C	Disipación de poder	1,6	W
	Factor que reduce la capacidad normal linear	20	mW/°C
VGS	Voltaje de la Puerta-a-fuente	± 20	V
TJ, TSTG	Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento	-55 a + 150	°C

Esquema del paquete SO-8

Las dimensiones se muestran en los milímetros (las pulgadas)

Marca de la parte SO-8

EJEMPLO: ESTO ES UN IRF7101 (EL MOSFET)

Cinta SO-8 y carrete

Las dimensiones se muestran en los milímetros (las pulgadas)

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