Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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Transistor de fines generales del transistor PNP del Mosfet del poder BC807-25

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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Transistor de fines generales del transistor PNP del Mosfet del poder BC807-25

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Number modelo :BC807-25
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :7800pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
Voltaje de la Colector-base :−50 V
voltaje del Colector-emisor :−45 V
voltaje de la Emisor-base :−5 V
Corriente de colector (DC) :−500 mA
corriente baja máxima :−200 mA
Disipación de poder total :250 mW
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Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
5M0380R 2882 FSC 14+ TO-220
AT24C04 2882 ATMEL 14+ SOP8
HT1381 2882 HOLTEK 14+ SOP8
L293E 2887 ST 16+ INMERSIÓN
BZX84B5V1 2888 EN 16+ SOT-23
TLP523-4 2888 TOSHIBA 13+ DIP-16
TPS63020DSJR 2888 TI 15+ QFN
KBP210 2896 SEPT 16+ INMERSIÓN
MP1542DK-LF-Z 2900 P.M. 16+ MSOP8
STU3030 2900 SAMHOP 14+ TO-252
IRS2092S 2978 IR 14+ SOP16
SMBJ36A 2980 VISHAY 14+ DO-214AA
A6259 2988 SANKEN 16+ INMERSIÓN
IRF7309TRPBF 2990 IR 16+ SOP8
PIC16F877-20I/L 2990 MICROCHIP 13+ PLCC44
IRFBE30P 2997 IR 15+ TO-220
MUR1640CT 2998 EN 16+ TO-220
1.5KE15A 3000 VISHAY 16+ DO-201AD
1.5KE6.8CA 3000 VISHAY 14+ DO-201AD
1N5359B 3000 EN 14+ DO-27
1N5819HW-7-F 3000 DIODOS 14+ SOD-123
2N7002W-7-F 3000 DIODOS 16+ SOT-323
74HC1G04GW 3000 16+ SOT-353
BD136 3000 ST 13+ TO-126
BF620 3000 15+ SOT-89
BZD27C13 3000 VISHAY 16+ SOD123
BZX84-C12 3000 16+ SOT23
CAT810LTBI 3000 EN 14+ SOT23-3
DF01S 3000 VISHAY 14+ SOP4
DTC124EU 3000 ROHM 14+ SOT323


Transistor de fines generales de BC807 PNP

CARACTERÍSTICAS
• De gran intensidad (máximo 500 mA)
• Baja tensión (máximo 45 V).

USOS
• Transferencia y amplificación de fines generales.

Fig.1 simplificó el esquema (SOT23) y el símbolo.
DESCRIPCIÓN
Transistor de PNP en un paquete plástico SOT23.
NPN complementa: BC817.

FIJACIÓN

PIN DESCRIPCIÓN
1 base
2 emisor
3 colector


VALORES LÍMITES
De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 134).

SÍMBOLO PARÁMETRO CONDICIONES MÍNIMO. MÁXIMO. UNIDAD
VCBO voltaje de la colector-base emisor abierto −50 V
VCEO voltaje del colector-emisor base abierta; IC = −10 mA −45 V
VEBO voltaje de la emisor-base colector abierto −5 V
IC corriente de colector (DC) −500 mA
ICM corriente de colector máxima −1
IBM corriente baja máxima −200 mA
Ptot disipación de poder total °C del ≤ 25 de Tamb; nota 1 250 mW
Tstg temperatura de almacenamiento −65 +150 °C
Tj temperatura de empalme 150 °C
Tamb temperatura ambiente de funcionamiento −65 +150 °C

El transistor de la nota 1. montó en un tablero del circuito impreso FR4.

ESQUEMA DEL PAQUETE

Paquete montado superficial plástico; 3 ventajas SOT23



Carro de la investigación 0