Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
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Mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP, mosfet de la energía baja

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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Mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP, mosfet de la energía baja

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Number modelo :TIP42CTU
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :50pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5200PCS
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
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Mosfet de la energía baja del mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP


LISTA COMÚN

MCF5272VF66 3100 FREESCALE 10+ BGA
PMEG4010EH 16000 15+ SOD-123
LM2901DR2G 40000 EN 14+ SOP-14
LTC4054LES5-4.2 6519 LT 16+ SOT23-6
OPA548T 7940 TI 13+ TO-220
MI0805K400R-10 20000 ADMINISTRADOR 16+ SMD
PC3Q67Q 11480 SOSTENIDO 16+ COMPENSACIÓN
MAX9075EUK-T 9932 MÁXIMA 15+ BORRACHÍN
LT1932ES6#TRMPBF 11490 LINEAR 16+ SOT-23-6
MAX856ESA+ 8651 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
LP339M 7728 NSC 14+ SOP-14
LT1932ES6 11446 LT 16+ SOT-23-6
MAX941CSA+ 10481 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
LTC2436-1CGN 7052 LINEAR 11+ SSOP
OP275GSZ 6060 ANUNCIO 16+ COMPENSACIÓN
ICL3221ECAZ 2460 INTERSIL 14+ SSOP16
BRPY1211F-TR 1560 STANLEY 15+ SMD
FDV301N 2200 FSC 13+ SOT-23
FM25640-GTR 2200 RAMTRON 15+ SOP-8
AD8602ARZ 2450 ANUNCIO 14+ COMPENSACIÓN
BT151-500C 2100 15+ TO220
AD8604ARZ 2450 ANUNCIO 16+ COMPENSACIÓN
D3FS6 2225 SHINDENGE 13+ DO-214
BQ24702PW 1560 TI 15+ TSSOP-24
74LCX16374MTDX 7500 FAIRCHILD 15+ TSOP
HEF4052BT 1520 15+ COMPENSACIÓN
2SC3205 3000 KEC 16+ TO-92L
DS3231SN# 4860 MÁXIMA 15+ COMPENSACIÓN
HEF4013BT 1520 14+ COMPENSACIÓN

Características

• Usos que cambian lineares del poder medio

• Complemento a TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C

Grados máximos absolutos TA=25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Valor Unidades
VEBO Voltaje de la Emisor-base - 5 V
IC Corriente de colector (DC) - 6
ICP Corriente de colector (pulso) -10
IB Corriente baja -2
TJ Temperatura de empalme 150 °C

Carro de la investigación 0