Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. |
Cantidad |
Marca |
D/C |
Paquete |
| MAX191BCWG+ |
2338 |
MÁXIMA |
16+ |
SOIC-24 |
| MAX1932ETC+T |
3044 |
MÁXIMA |
13+ |
QFN |
| MAX232EIDR |
50000 |
TI |
13+ |
SOP-16 |
| MAX232IDW |
9003 |
TI |
11+ |
SOP-16 |
| MAX253CSA+ |
6562 |
MÁXIMA |
14+ |
SOP-8 |
| MAX3051EKA+T |
3853 |
MÁXIMA |
14+ |
SOT-23 |
| MAX3061EEKA |
4024 |
MÁXIMA |
15+ |
SOT23-8 |
| MAX3070EESD |
5557 |
MÁXIMA |
16+ |
SOP-14 |
| MAX31865ATP+T |
3707 |
MÁXIMA |
16+ |
QFN20 |
| MAX3221ECPWR |
3059 |
TI |
16+ |
TSSOP |
| MAX3224ECAP |
4095 |
MÁXIMA |
16+ |
SSOP-20 |
| MAX3232CPWR |
5697 |
TI |
16+ |
TSSOP |
| MAX3232CUE |
3986 |
MÁXIMA |
16+ |
TSSOP |
| MAX3232EIDR |
3667 |
TI |
16+ |
SOP-16 |
| MAX3238ECPWR |
8331 |
TI |
10+ |
TSSOP |
| MAX3243CDBR |
3590 |
TI |
14+ |
SSOP-28 |
| MAX3243ECDBR |
6741 |
TI |
09+ |
SSOP-28 |
| MAX32590-LNJ+ |
553 |
MÁXIMA |
13+ |
NA |
| MAX3311CUB |
2302 |
MÁXIMA |
16+ |
MSOP-10 |
| MAX3311EEUB |
2324 |
MÁXIMA |
16+ |
MSOP-10 |
| MAX3442EEPA+ |
3095 |
MÁXIMA |
16+ |
DIP-8 |
| MAX3442EESA+T |
5829 |
MÁXIMA |
16+ |
SOP-8 |
| MAX3486CSA |
15889 |
MÁXIMA |
16+ |
SOP-8 |
| MAX3490CSA+ |
11077 |
MÁXIMA |
13+ |
SOP-8 |
| MAX4080SASA+T |
15089 |
MÁXIMA |
16+ |
SOP-8 |
| MAX418CPD |
3034 |
MÁXIMA |
14+ |
DIP-14 |
| MAX4624EZT |
15171 |
MÁXIMA |
16+ |
SOT23-6 |
| MAX4663CAE |
2151 |
MÁXIMA |
16+ |
SSOP-16 |
| MAX472CPA |
4115 |
MÁXIMA |
15+ |
DIP-8 |
| MAX491CPD+ |
14840 |
MÁXIMA |
16+ |
DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
MOSFET Zener-protegido de SuperMESH™Power
■Ω TÍPICO 1,76 del RDS (encendido) =
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ
■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS
■BUEN REPEATIBILITY DE FABRICACIÓN MISMO
DESCRIPCIÓN
La serie de SuperMESH™ se obtiene con una optimización extrema de la disposición stripbased establecida de PowerMESH™ del ST. Además de empujar en-resistencia perceptiblemente hacia abajo, el cuidado especial se toma para asegurar una capacidad muy buena de dv/dt para los usos más exigentes. Tal serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje incluyendo los productos revolucionarios de MDmesh™.
USOS
■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD
■IDEAL PARA LAS FUENTES DE ALIMENTACIÓN OFF-LINE, LOS ADAPTADORES Y PFC
■ILUMINACIÓN
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidad |
|
STP4NK60Z
STB4NK60Z
STB4NK60Z-1
|
STP4NK60ZFP |
STD4NK60Z
STD4NK60Z-1
|
| VDS |
voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) |
600 |
V |
| VDGR |
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) |
600 |
V |
| VGS |
Voltaje de fuente de puerta |
± 30 |
V |
| Identificación |
Drene actual (continuo) en TC = 25°C |
4 |
4 (*) |
4 |
|
| Identificación |
Drene actual (continuo) en TC = 100°C |
2,5 |
2,5 (*) |
2,5 |
|
| IDM (•?) |
Corriente del dren (pulsada) |
16 |
16 (*) |
16 |
|
| PTOT |
Disipación total en TC = 25°C |
70 |
25 |
70 |
W |
| |
Reducir la capacidad normal de factor |
0,56 |
0,2 |
0,56 |
W/°C |
| VESD (G-S) |
Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta |
3000 |
V |
| dv/dt (1) |
Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo |
4,5 |
V/ns |
| VISO |
El aislamiento soporta el voltaje (DC) |
- |
2500 |
- |
V |
|
Tj
Tstg
|
Temperatura de empalme de funcionamiento
Temperatura de almacenamiento
|
-55 a 150
-55 a 150
|
°C |
(•??) anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
(1) DSI ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) limitó solamente por la temperatura máxima permitida
