Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
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2N2646 TRANSISTORES del SILICIO UNIJUNCTION que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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2N2646 TRANSISTORES del SILICIO UNIJUNCTION que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder

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Number modelo :2N2646
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :290PCS
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
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2N2646 TRANSISTORES del SILICIO UNIJUNCTION que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder

TRANSISTORES DEL SILICIO UNIJUNCTION

Los transistores planares de Unijunction del silicio tienen una estructura dando por resultado un voltaje de saturación más bajo, corriente del pico-punto y zell actual del valle tan como voltaje máximo del pulso de una base-uno mucho más alta. Además, estos dispositivos son interruptores mucho más rápidos.

El 2N2646 se piensa para los usos industriales de fines generales donde está la economía del circuito de importancia primaria, y es ideal para el uso en los circuitos de leña para los rectificadores controlados de silicio y otros usos donde se requiere una amplitud de pulso mínima garantizada. El 2N2647 se piensa para los usos donde una salida baja del emisor actual y una corriente baja del emisor del punto máximo (corriente del disparador) se requieren y también para accionar los SCR del poder más elevado.

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS Tj=125°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Grados

2N2646

2N2647

Unidad
VB2E Voltaje Emitter-Base2 30 V
IE Corriente del emisor del RMS 50 mA
IE * Corriente máxima del emisor del pulso 2
VB2B Voltaje Interbase 35 V
Paladio Disipación de potencia RMS 300 mW
TJ Temperatura de empalme -65 a +125 °C
TStg Temperatura de almacenamiento -65 a +150 °C

LISTA COMÚN

36MB100A 1629 IR 15+ MÓDULO
LM2674MX-5.0 1865 NSC 10+ SOP-8
LTC1690CS8 6022 LINEAR 14+ COMPENSACIÓN
PMBT3904 780000 15+ SOT-23
PM10CNA060 200 MITSUBISH 09+ MOUDLE
B1240 3455 EN 15+ DIP18
LM3403N 2969 NSC 10+ DIP-14
LM4050CIM3X-2.5 6586 NSC 13+ SOT-23-3
PIC16LF877A-I/PT 4698 MICROCHIP 16+ QFP
MAX4252EUA 13500 MÁXIMA 15+ MSOP
MC33033DW 11000 EN 16+ COMPENSACIÓN
L05172 1596 ST 15+ HSSOP36
BT136S-600E 3829 15+ TO220
MCP6S21-I/MS 5560 MICROCHIP 16+ MSOP
MTD1375F 7513 SHINDENGE 15+ HSOP
MAX3232ECAE 11250 MÁXIMA 16+ SSOP
MD1803DFX 5836 ST 16+ TO-3P
LM5118MH 1743 NSC 11+ TSSOP-20
LTC3108IGN 6857 LT 16+ SSOP
ATTINY26L-8MU 552 ATMEL 14+ QFN-32
ZRA245A02 1200 ZETEX 10+ TO-92
LP3855ESX-3.3 2263 NSC 14+ TO-263
PIC18F25J10-I/SO 4558 MICROCHIP 15+ COMPENSACIÓN
AU6254 3000 ALCOR 12+ LQFP48
Carro de la investigación 0