INTERRUPTOR IRFB4229PbF de PDP
¿???????
¿Características?
• ¿Tecnología de proceso avanzada?
• ¿Los parámetros dominantes optimizados para PDP sostienen, recuperación de energía y los usos del interruptor del paso?
• El grado bajo de EPULSE para reducir la disipación de poder en PDP sostiene,
¿Usos del interruptor de la recuperación y del paso de energía?
• ¿QG bajo para la respuesta rápida?
• ¿Alta capacidad repetidor de la corriente de pico para la operación confiable?
• ¿Caída corta y tiempos de subida para la transferencia rápida?
• ¿temperatura de empalme de funcionamiento 175°C para la aspereza mejorada?
• Capacidad repetidor de la avalancha para la robustez y la confiabilidad
Parámetros dominantes
| Minuto de VDS |
250 |
V |
| Tipo de VDS (avalancha). |
300 |
V |
| Tipo del RDS (ENCENDIDO). @ 10V |
38 |
mΩ |
| IRP máximo @ TC = 100°C |
91 |
|
| TJ máximo |
175 |
°C |
¿Descripción???
Este MOSFET del poder de HEXFET® se diseña específicamente para Sustain; Usos del interruptor de la recuperación y del paso de energía en los paneles de pantalla de plasma. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar en-resistencia baja por área del silicio y el grado bajo de EPULSE. Las características adicionales de este MOSFET son temperatura de empalme de funcionamiento 175°C y alta capacidad repetidor de la corriente de pico. Estas características combinan para hacer este MOSFET un dispositivo muy eficiente, robusto y confiable para PDP que conduce usos.
Grados máximos absolutos
| |
Parámetro |
Máximo. |
Unidades |
| VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
±30 |
V |
| Identificación @ TC = 25°C |
Corriente continua del dren, VGS @ 10V |
46 |
|
| Identificación @ TC = 100°C |
Corriente continua del dren, VGS @ 10V |
33 |
|
| IDM |
Corriente pulsada del dren |
180 |
|
| IRP @ TC = 100°C |
¿Corriente máxima repetidor? |
91 |
|
| Paladio @TC = 25°C |
Disipación de poder |
330 |
W |
| Paladio @TC = 100°C |
Disipación de poder |
190 |
W |
| |
Factor que reduce la capacidad normal linear |
2,2 |
W/°C |
| TJ TSTG |
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
-40 a + 175 |
°C |
| |
Temperatura que suelda por 10 segundos |
300 |
°C |
| |
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el tornillo M3 |
10lbin (1.1Nm) |
N |
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. |
Cantidad |
Marca |
D/C |
Paquete |
| HIP4080AIBZT |
3925 |
INTERSIL |
15+ |
COMPENSACIÓN |
| TNY266PN |
3970 |
PODER |
16+ |
DIP7 |
| LM7912CT |
3990 |
NS |
16+ |
TO-220 |
| HCNW4503 |
3991 |
AVAGO |
14+ |
SOP8DIP8 |
| ICL7650SCBA |
3996 |
INTERSIL |
14+ |
SOP-8 |
| LM2575HVT-ADJ |
3997 |
NS |
14+ |
TO-220 |
| MUR3020PT |
3997 |
EN |
16+ |
TO-3P |
| IRFR5305 |
3998 |
IR |
16+ |
TO-252 |
| MJ802 |
3998 |
EN |
13+ |
TO-3 |
| LBAT54XV2T1G |
3999 |
EN |
15+ |
SOD-523 |
| VN10LFTA |
3999 |
ZETEX |
16+ |
SOT23 |
| 1N5341B |
4000 |
EN |
16+ |
CASE17 |
| 1N5343B |
4000 |
EN |
14+ |
DO-02 |
| 2SC2383 |
4000 |
TOSHIBA |
14+ |
TO-92 |
| 2SC3807 |
4000 |
SANYO |
14+ |
TO-126 |
| 2SK170BL |
4000 |
TOSHIBA |
16+ |
TO-92 |
| 74HC174D |
4000 |
|
16+ |
SOP-16 |
| 74LVC245AD |
4000 |
|
13+ |
COMPENSACIÓN |
| AD8572ARZ |
4000 |
ANUNCIO |
15+ |
SOP8 |
| AT24C512C-SSHD-T |
4000 |
ATEML |
16+ |
SOP8 |
| BCV48 |
4000 |
|
16+ |
SOT-89 |
| BD137 |
4000 |
ST |
14+ |
TO-126 |
| BTS721L1 |
4000 |
|
14+ |
SOP-20 |
| CD4027BE |
4000 |
TI |
14+ |
INMERSIÓN |
| CPC1017N |
4000 |
CLARE |
16+ |
SOP4 |
| IRF7307 |
4000 |
IR |
16+ |
SOP8 |
| IRFR210 |
4000 |
IR |
13+ |
SOT-252 |
| LT1963AEST-3.3 |
4000 |
LT |
15+ |
SOT-223 |
| MIC4424BN |
4000 |
MICREL |
16+ |
DIP8 |
| MICROSMD050F-2 |
4000 |
TYCO |
16+ |
SMD |
