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Transistor 625mW BC557A del amplificador del silicio de PNP

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China Transistor 625mW BC557A del amplificador del silicio de PNP wholesale
  • China Transistor 625mW BC557A del amplificador del silicio de PNP wholesale

Transistor 625mW BC557A del amplificador del silicio de PNP
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Number modelo :BC557A
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :20000pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Característica 1 :Final sin plomo/RoHS obediente
Característica 2 :temperatura de empalme 150°C
Característica 4 :El epóxido resuelve el grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94
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Características

•¿? Final sin plomo/RoHS obediente (el sufijo de “P” señala

RoHS obediente. Información el ordenar See)

•¿? temperatura de empalme de 150o C

• A través del paquete del agujero

• El epóxido resuelve el grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94

• Nivel 1 de la sensibilidad de Moisure

• Marca: Tipo número

Datos mecánicos

¿? • Caso: TO-92, plástico moldeado

• Polaridad: indicado como abajo.

Grados máximos @ 25o C salvo especificación de lo contrario

Charateristic Símbolo Valor Unidad

Voltaje del Colector-emisor BC556

BC557

BC558

 VCEO

-65

-45

-30

 V

Voltaje de la Colector-base Because556

BC557

BC558

 VCBO

-80

-50

-30

 V
Voltaje de la Emisor-base VEBO -5,0 V
Corriente de colector (DC) IC -100 mA
Poder Dissipation@TA =25°C Paladio

625

5,0

mW

mW/°C
Poder Dissipation@TC =25°C Paladio

1,5

12

mW

mW/°C
Resistencia termal, empalme al aire ambiente R JA 200 °C/W
Resistencia termal, empalme a encajonar R JC 83,3 °C/W
Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento Tj, TSTG -55~150 °C

Etiquetas de productos:

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