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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

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Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943

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China Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943 wholesale
  • China Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943 wholesale

Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943
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Number modelo :2SA1943
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :10000pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Transistor bipolar (BJT) PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W Orificio pasante TO-3P(L)
Voltaje de la Colector-base :-230 V
voltaje de la Emisor-base :-5 V
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Transistores de poder del silicio PNP 2SA1943

DESCRIPCIÓN

·Con el paquete de TO-3PL

·Complemento para mecanografiar 2SC5200

USOS

·Usos del amplificador de potencia

·Recomendado para 100W de alta fidelidad

etapa de la salida del amplificador de la frecuencia de audio

FIJACIÓN

PIN DESCRIPCIÓN
1 Emisor
2

Colector; conectado con

montaje de la base
3 Base

CARACTERÍSTICAS Tj=25℃ salvo especificación de lo contrario

SÍMBOLO PARÁMETRO CONDICIONES MINUTO TIPO. Max UNIDAD
CEO DE V (BR) voltaje de avería del Colector-emisor IC =-50mA; IB =0 -230 V
VCEsat voltaje de saturación del Colector-emisor IC =-8A IB =-0.8A -3,0 V
VBE Voltaje del emisor de base IC =-7A; VCE =-5V -1,5 V
ICBO Corriente de atajo de colector VCB =-230V; IE =0 -5 μA
IEBO Corriente del atajo del emisor VEB =-5V; IC =0 -5 μA
hFE-1 Aumento actual de DC IC =-1A; VCE =-5V 55 160
hFE-2 Aumento actual de DC IC =-7A; VCE =-5V 35
pie Frecuencia de la transición IC =-1A; VCE =-5V 30 Megaciclo
MAZORCA Capacitancia de salida del colector f=1MHz; VCB =-10V 360 PF

clasificaciones del ‹ hFE-1

R O
55-110 80-160

ESQUEMA DEL PAQUETE

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mosfet series power amplifier
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