Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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3 Años
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Mosfet complementario plástico del poder de DarliCM GROUPon, transistores de poder del silicio 2N6038

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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Mosfet complementario plástico del poder de DarliCM GROUPon, transistores de poder del silicio 2N6038

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Number modelo :2N6038
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :10000
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
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Mosfet complementario plástico del poder de DarliCM GROUPon, transistores de poder del silicio 2N6038

Los transistores de poder complementarios plásticos del silicio de DarliCM GROUPon se diseñan para el amplificador de fines generales y los usos que cambian low−speed.

• Alto aumento actual de DC — hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 ADC

• Voltaje de mantenimiento del Colector-emisor — @ mAdc 100

VCEO (sus) = 60 VDC (minuto) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC

(Minuto) — 2N6036, 2N6039

• Capacidad actual polarizada hacia adelante de la segunda avería IS/b = 1,5 ADC @ 25 VDC

• Construcción monolítica con los resistores incorporados del emisor de base a la multiplicación de LimitELeakage

• Alto paquete plástico del ratio TO-225AA del Funcionamiento-a-coste del ahorro de espacio

GRADOS MÁXIMOS

Grado Símbolo Valor Unidad

Voltaje 2N6034 de Collector−Emitter

2N6035, 2N6038

2N6036, 2N6039

VCEO

40

60

80

VDC

Voltaje 2N6034 de Collector−Base

2N6035, 2N6038

2N6036, 2N6039

VCBO

40

60

80

VDC
Voltaje de Emitter−Base VEBO 5,0 VDC

Corriente de colector Continuo

Pico

IC

4,0

8,0

ADC

Apk

Corriente baja IB 100 mAdc

Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

Paladio

40

320

W

mW/°C

Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

Paladio

1,5

12

W

mW/°C

Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento TJ, Tstg – 65 a +150 °C

CARACTERÍSTICAS TERMALES

Característica Símbolo Máximo Unidad
Resistencia termal, Junction−to−Case RJC 3,12 °C/W
Resistencia termal, Junction−to−Ambient RJA 83,3 °C/W

Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición ampliada a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TC = 25C a menos que se indicare en forma diferente)

Característica Símbolo Minuto Máximo Unidad
DE CARACTERÍSTICAS

Voltaje de mantenimiento de Collector−Emitter

(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039

VCEO (sus)

40

60

80

--

--

--

VDC

Corriente de Collector−Cutoff

(VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034

(VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038

(VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039

ICEO

--

--

--

100

100

100

UA

Corriente de Collector−Cutoff

(VCE = 40 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6034

(VCE = 60 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038

(VCE = 80 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039

(VCE = 40 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034

(VCE = 60 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038

(VCE = 80 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039

ICEX

--

--

--

--

--

--

100

100

100

500

500

500

UA

Corriente de Collector−Cutoff

(VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034

(VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038

(VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039

ICBO

--

--

--

0,5

0,5

0,5

mAdc
Corriente de Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) IEBO -- 2,0 mAdc
EN CARACTERÍSTICAS

Aumento actual de DC

(IC = 0,5 ADC, VCE = 3,0 VDC)

(IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VDC)

(IC = 4,0 ADC, VCE = 3,0 VDC)

hFE

500

750

100

--

15.000

--

--

Voltaje de saturación de Collector−Emitter

(IC = 2,0 ADC, IB = mAdc 8,0)

(IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40)

VCE (se sentó)

--

--

2,0

3,0

VDC

Voltaje de saturación de Base−Emitter

(IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40)

VBE (se sentó) -- 4,0 VDC

Base−Emitter en voltaje

(IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VDC)

VBE (encendido) -- 2,8 VDC
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS

Small−Signal Current−Gain

(IC = 0,75 ADC, VCE = 10 VDC, f = 1,0 megaciclos)

|hfe| 25 -- --

Capacitancia de salida

(VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 megaciclos) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039

Mazorca

--

--

200

100

PF

Los *Indicates JEDEC registraron datos.

Carro de la investigación 0