Original epitaxial del transistor del silicio de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN
Transistor epitaxial 2SC5242 del silicio de NPN
Usos
• Amplificador de alta fidelidad de la salida audio
• Características de fines generales del amplificador de potencia
• Capacidad de gran intensidad: IC = 15A
• Disipación de poder más elevado: 130watts
• De alta frecuencia: 30MHz.
• Alto voltaje: VCEO=230V
• S.O.A ancho para la operación confiable.
• Linearidades excelentes del aumento para THD bajo.
• Complemento a 2SA1962/FJA4213.
• Los modelos termales y eléctricos de la especia están disponibles
• El mismo transistor está también disponible adentro: --Paquete TO264,
2SC5200/FJL4315: 150 vatios --Paquete TO220,
FJP5200: 80 vatios --Paquete de TO220F, FJPF5200: 50 vatios
Ratings* máximo absoluto TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo |
Parámetro |
Grados |
Unidades |
| BVCBO |
Voltaje de la Colector-base |
230 |
V |
| BVCEO |
Voltaje del Colector-emisor |
230 |
V |
| BVEBO |
Voltaje de la Emisor-base |
5 |
V |
| IC |
Corriente de colector (DC) |
15 |
|
| IB |
Corriente básica |
1,5 |
|
| Paladio |
Disipación total del dispositivo (TC=25°C) reduce la capacidad normal sobre 25°C |
130
1,04
|
W
W/°C
|
| TJ, TSTG |
Temperatura del empalme y de almacenamiento |
-50-+150 |
°C |
* estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.
Characteristics* termal Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo |
Parámetro |
MÁXIMO. |
Unidad |
| RθJC |
Resistencia termal, empalme a encajonar |
0,96 |
W/°C |
* dispositivo montado en tamaño mínimo del cojín
