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Foso nuevo y original IGBT del transistor del Mosfet del poder de FGA25N120ANTDTU de 1200V NPT
Foso nuevo y original IGBT del transistor del Mosfet del poder de FGA25N120ANTDTU de 1200V NPT
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FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109 foso IGBT de 1200V NPT Características • Tecnología del foso del NPT, coeficiente de temperatura positivo • Voltaje ...
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