Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa / Productos / Electronic IC Chips /

Poder complementario DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP122

Contacta
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
Contacta

Poder complementario DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP122

Preguntar último precio
Number modelo :TIP122
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :6800pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
voltaje de la Emisor-base :5 V
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

TIP120/121/122

TIP125/126/127

TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL PODER DARLICM GROUPON DEL SILICIO

STMicroelectronics PREFIRIÓ SALESTYPES

DESCRIPCIÓN

Los TIP120, los TIP121 y los TIP122 son transistores de poder de la Epitaxial-base NPN del silicio en la configuración monolítica de DarliCM GROUPon montada en el paquete plástico de Jedec TO-220. Intented para el uso en usos lineares y que cambian del poder. Los tipos complementarios de PNP son TIP125, TIP126 y TIP127, respectivamente.

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo Parámetro Valor Unidad
NPN TIP120 TIP121 TIP122
PNP TIP125 TIP126 TIP127
VCBO Voltaje de la Colector-base (IE = 0) 60 80 100 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor (IB = 0) 60 80 100 V
VEBO DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO (IC = 0) 5 V
IC Corriente de colector 5
ICM Corriente máxima del colector 8
IB Corriente baja 0,1
Ptot

Disipación total en el ℃ del ≤ 25 de Tcase

℃ del ≤ 25 de Tamb

65

2

W
Tstg Temperatura de almacenamiento -65 a 150
Tj Temperatura de empalme de Max. Operating 150

TO-220 DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO

Carro de la investigación 0