Transistor 19A, 100V, 0,200 ohmios, MOSFETs del Mosfet del poder del mosfet ic del poder IRF9540 del poder del P-canal

IRF9540, RF1S9540SM

19A, 100V, 0,200 ohmios, MOSFETs del poder del P-canal

Éstos son transistores de efecto de campo del poder de la puerta de silicio del modo del aumento del P-canal. Son MOSFETs avanzados del poder diseñados, probados, y garantizados para soportar un nivel especificado de energía en el modo de operación de la avalancha de la avería. Todos estos MOSFETs del poder se diseñan para los usos tales como recortes reguladores, convertidores que cambian, conductores del motor, conductores de la retransmisión, y conductores para los transistores de transferencia bipolares del poder más elevado que requieren poder de alta velocidad y bajo de la impulsión de la puerta. Pueden ser actuados directamente desde los circuitos integrados.

Tipo antes de desarrollo TA17521.

Características

• 19A, 100V

• rDS _(ENCENDIDO) = 0.200Ω

• La sola energía de la avalancha del pulso valoró

• SOA es Power Dissipation Limited

• Velocidades de transferencia del nanosegundo

• Características de transferencia lineares

• Alta impedancia de entrada

• Literatura relacionada - TB334 “instrucciones para los componentes superficiales del soporte que sueldan a los tableros de PC”

Grados máximos absolutos TC = 25℃, salvo especificación de lo contrario

PRECAUCIÓN: Las tensiones sobre ésas enumeradas en “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es un único grado de la tensión y la operación del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en las secciones operativas de esta especificación no se implica.

NOTA: 1. TJ = 25℃ a 150℃.

Símbolo

Empaquetado

JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB

Circuitos y formas de onda de la prueba

Oferta común (venta caliente)