Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa / Productos / Electronic IC Chips /

IRF740PBF-BE3 mosfet dual del poder del MOSFET del poder del CANAL TO-220

Contacta
Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
Contacta

IRF740PBF-BE3 mosfet dual del poder del MOSFET del poder del CANAL TO-220

Preguntar último precio
Number modelo :IRF740
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :290PCS
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Lista COMÚN


PM200RSA060 120 MITSUBISH 13+ MOUDLE
MSM5219BGS-K-7 550 OKI 14+ QFP
PS11003-C 500 MITSUBISH 12+ MÓDULO
MB87020PF-G-BND 3531 FUJITSU 14+ QFP
MA2820 7689 SHINDENG 16+ CREMALLERA
7MBP150RTB060 210 FUJI 12+ MÓDULO
MBM200HS6B 629 HITACHI 14+ MÓDULO
PM25RSK120 320 MITSUBISH 10+ MOUDLE
QM150DY-H 150 MITSUBISH 13+ MÓDULO
PWB130A40 120 SANREX 14+ MÓDULO
LA1185 3928 SANYO 14+ SIP9
BSM25GP120 458 EUPEC 15+ MÓDULO
LM2750LD-ADJ 3000 NSC 14+ QFN
NCN1188MUTAG 8480 EN 16+ UQFN
NCN1154MUTAG 8400 EN 16+ UQFN
LM2745MTCX 3000 NSC 14+ TSSOP-14
L78L05ABD 10000 ST 15+ SOP8
AT24C08BN-SH 5000 ATMEL 15+ SOP-8
PS21563-P 500 MITSUBISH 12+ MÓDULO
BNX003-01 2058 MURATA 14+ INMERSIÓN
LTC4441IMSE 6207 LINEAR 14+ MSOP
PA0173NLT 7386 PULSO 16+ COMPENSACIÓN
P0926NL 8560 PULSO 16+ COMPENSACIÓN
PM10CSJ060 145 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PH150S280-24 914 Lambda 16+ IGBT
LM75CIMX-5 4325 NSC 14+ SOP-8
PDT15016 392 NIEC 14+ MÓDULO
CXA3834M 2531 SONY 15+ COMPENSACIÓN
NS8002 40000 NSIWAY 16+ COMPENSACIÓN
MP8707EN-LF-Z 5854 P.M. 16+ COMPENSACIÓN
MAP3202 3234 MAGNACHIP 16+ COMPENSACIÓN
PS20660-MRZ 200 MITSUBISH 05+ MÓDULO
PK55GB80 80 SANREX 12+ MÓDULO
BSM200GD60DLC 368 EUPEC 14+ MÓDULO
LV8401V-TLM-E 5128 EN 16+ SSOP
2DI150D-050C 991 FUJI 14+ MÓDULO
QM50HA-H 300 MITSUBISH 13+ MÓDULO

IRF740 mosfet dual del poder del MOSFET del poder del CANAL N TO-220

■RDS TÍPICO (encendido) = 0,48 Ω

■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt

■LA AVALANCHA 100% PROBÓ

■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS

■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ

DESCRIPCIÓN

Este MOSFET del poder se diseña usando la MALLA disposición-basada tira consolidada de la compañía CUBRIÓ proceso del . Esta tecnología hace juego y mejora los funcionamientos comparados con las partes estándar de diversas fuentes.

USOS

TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD

■SISTEMA DE ALIMENTACIÓN ININTERRUMPIDA (UPS)

■DC/DC COVERTERS PARA LAS TELECOMUNICACIONES, INDUSTRIAL,

Y EQUIPO DE ILUMINACIÓN.

Carro de la investigación 0