electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del módulo de poder del Mosfet 3362P-1-103

Una parte de la lista común

Estándar eléctrico de las características

Gama de la resistencia .................................. 10 a 5 megohmios

Estándar de la tolerancia ............. el ±10% de la resistencia.

Resistencia mínima absoluta ............................ 1,0% o 2 ohmios de máximo.

Variación de la resistencia de contacto .............................. máximo de 1,0% o 1 ohmio.

Voltaje ...................................... el ±0.01% de la ajustabilidad

Resistencia ................................ el ±0.05%

Resolución ..................................... infinita

Resistencia de aislamiento ................ 500 VDC.

1.000 megohmios de nivel del mar mínimo de la fuerza dieléctrica ............................... 1.000 VAC 80.000 pies ............................... 250 VAC

Ángulo de ajuste ............. nom de 15 vueltas

Características ambientales

Potencia (400 voltios de máximo) 70°C ....................................... 0,75

vatio 125°C .......................................... 0 vatios

Gama de temperaturas ...... - 55°C a +125°C

Coeficiente de temperatura ..... ±100ppm/°C

Prueba ........................ 85°C del sello

Humedad ........ MIL-STD-202 de Fluorinert*

Método 103 96 horas (el 3% ∆TR, 20 megohmios de IR)

Vibración ............ 20G (el 2% ∆TR; Choque ................ 50G del 2% ∆VR)

(El 2% ∆TR; Vida de la carga del 2% ∆VR)….1.000 horas 0,75 vatios 70°C (el 4% ∆TR)

Vida rotatoria ........................ 200 ciclos (el 3% ∆TR; 1% o 1 ohmio, cualquiera es mayor, CRV)