Universal, 3 terminales de la manera: empuje-en, envuelva alrededor o soldar
Alto paquete de la conductividad termal, eléctricamente - caja aislada
Los símbolos de la polaridad se moldean en el cuerpo de la caja plástica
Fijación de centro del agujero
Microprocesadores apaciguados de cristal del diodo
Ratio excelente del volumen del poder
Terminales niquelados convenientes para soldar de alta temperatura en 250 - 260°C tiempo máximo 8 - 10 segundos
Versión de la ventaja de alambre disponible
La UL E 62320 aprobó

Descripción

Una gama de puentes rectificadores extremadamente compactos, encapsulados la monofásico que ofrecen la operación eficiente y confiable. Se piensan para el uso en usos de los fines generales y de la instrumentación.

Major Ratings y características

Parámetros		GBPC25	GBPC35	Unidades
IO		25	35
IO	@ TC	60	55	℃
YO _FSM	@50Hz	400	475
YO _FSM	@ 60Hz	420	500
I ² t	@ 50Hz	790	1130	² s
I ² t	@ 60Hz	725	1030	² s
Gama de VRRM		200 a 1200		V
TJ		-55 a 150		℃

Tabla del esquema

Etiquetas de productos:

mosfet h bridge module

half bridge igbt module

power mosfet module

Carro de la investigación 0

Módulos de poder del PUENTE la MONOFÁSICO del módulo de poder del Mosfet de VS-GBPC3512A

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

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Conductor ICs del LED

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Microprocesadores del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

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