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¿? PROCESADORES DE SEÑAL NUMÉRICA
¿CPU de 16 bits *Powerful de TMS320C5x?
Solo-ciclo de *20-, de 25-, de 35-, y de 50 ns
¿Tiempo de ejecución de instrucción para la operación 5-V?
instrucción del Solo-ciclo de *25-, de 40-, y de 50 ns
¿Tiempo de ejecución para la operación 3-V?
¿el × del *Single-Cycle 16 de 16 bits se multiplica/añade?
máximo de 16 bits del × de *224K direccionable
Memoria externa (64K programa, 64K
¿Datos, entrada-salida 64K, y 32K global)?
*2K, 4K, 8K, 16K, Solo-acceso de 16 bits del × 32K
¿ROM del programa del En-microprocesador?
*1K, 3K, 6K, Solo-acceso de 16 bits del × 9K
¿Programa del En-microprocesador/datos RAM (SARAM)?
Programa/datos del En-microprocesador del Dual-acceso de *1K
¿RAM (DARAM)?
* lleno - puerto serie síncrono a dos caras para
¿Interfaz del codificador/del decodificador?
¿Puerto serie *Time-Division-Multiplexed (TDM)?
¿capacidad de la generación del Espera-estado del *Hardware o del software?
¿Contador de tiempo del *On-Chip para las operaciones de control?
¿Instrucciones del *Repeat para el uso eficiente del espacio del programa?
¿Puerto serie *Buffered?
¿Interfaz portuario del *Host?
Lazo sincronizado en fase del *Multiple (PLL)
¿Opciones de sincronización (×1, ×2, ×3, ×4, ×5, ×9 dependiendo del dispositivo)?
¿El *Block se mueve para los datos/la gestión de programa?
¿Lógica Exploración-basada *On-Chip de la emulación?
¿Exploración *Boundary?
Opciones de empaquetado *Five
– paquete plano del patio 100-Pin (sufijo del PJ)
– paquete plano del patio fino 100-Pin (sufijo de PZ)
– paquete plano del patio fino 128-Pin (sufijo de PBK)
– paquete plano del patio 132-Pin (sufijo de PQ)
¿– paquete plano del patio fino 144-Pin (sufijo de PGE)?
El *Low acciona modos de la disipación y del poder-Abajo:
– 47 mA (2,35 mA/MIP) en 5 V, reloj 40-MHz (media)
– 23 mA (1,15 mA/MIP) en 3 V, reloj 40-MHz (media)
– 10 mA en 5 V, reloj 40-MHz (modo IDLE1)
– 3 mA en 5 V, reloj 40-MHz (modo IDLE2)
¿– 5 µA en 5 V, relojes de (modo IDLE2)?
¿Tecnología estática del *High-Performance Cmos?
Puerto del Prueba-acceso del † del estándar 1149,1 de *IEEE (JTAG)
descripción
La generación de TMS320C5x de los procesadores de señal numérica TMS320 de Texas Instruments (TITM) (DSPs) se fabrica con tecnología estática del circuito integrado del Cmos; el diseño arquitectónico se basa sobre el de un TI anterior DSP, el TMS320C25. La combinación de arquitectura avanzada de Harvard, de periférico del en-microprocesador, de memoria del en-microprocesador, y de un sistema de instrucción sumamente especializado es la base de la flexibilidad y de la velocidad operativas ‘de los dispositivos del ‡ de C5x. Ejecutan hasta 50 millones de instrucciones por segundas (las MIPS).
Los ‘dispositivos de C5x ofrecen estas ventajas: ¿?
TMS320C50, TMS320LC50, TMS320C51, TMS320LC51, TMS320C53, TMS320LC53
PAQUETE DE PQ
(VISIÓN SUPERIOR)
grados máximos absolutos sobre gama de temperaturas de funcionamiento del ambiente-aire (a menos que se indicare en forma diferente) (‘320C5x único) †
Gama del voltaje de fuente, VDD (véase la nota 3)………………………………. – 0,3 V a 7 V
Gama de voltaje entrado, VI.…………………………………………. – 0,3 V a 7 V
Gama del voltaje de salida, Vo…………………………………………. – 0,3 V a 7 V
Gama de temperaturas ambiente de funcionamiento, TA……………………………… – 40°C a 85°C
Temperatura de caso de funcionamiento, TC……………………………………… 0°C a 85°C
Gama de temperaturas de almacenamiento, Tstg…………………………………… – 55°C a 150°C
El † subraya más allá de ésos enumerados bajo “grados máximos absolutos” puede causar daño permanente al dispositivo. Éstos son grados de la tensión solamente, y la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones más allá de ésos indicados bajo “condiciones de funcionamiento recomendadas” no se implica. La exposición a las condiciones absoluto-máximo-clasificadas por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.
NOTA 3: Todos los valores del voltaje están en cuanto al VSS.
condiciones de funcionamiento recomendadas (‘320C5x únicos)
MINUTO NOM Max | UNIDAD | ||
Voltaje de fuente de VDD | 4,75 5 5,25 | V | |
Voltaje de fuente del VSS | 0 | V | |
Voltaje de entrada de alto nivel de VIH | X2/CLKIN, CLKIN2 | 3 VDD+0.3 | V |
CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | 2,5 VDD+0.3 | V | |
El resto de las entradas | 2 VDD+0.3 | V | |
Voltaje de entrada bajo de VIL | X2/CLKIN, CLKIN2, CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | – 0,3 0,7 | V |
El resto de las entradas | – 0,3 0,8 | V | |
Corriente de salida de alto nivel de IOH (véase la nota 4) | – 300 ‡ | µA | |
Corriente de salida de bajo nivel de IOL | 2 | mA | |
Temperatura de caso de funcionamiento del TC | 0 85 | °C | |
TA que actúa temperatura ambiente | – 40 85 | °C |
El ‡ este IOH se puede exceder cuando usando un 1 resistor de la desconexión del kΩ en la salida del puerto serie TADD de TDM; sin embargo, esta salida todavía resuelve especificaciones de VOH bajo estas condiciones.
NOTA 4: El cuadro 9 muestra el circuito de la carga de la prueba y el cuadro 10 y el cuadro 11 demostración los niveles de referencia del voltaje.