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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Línea linear conductor de los circuitos integrados de los chips CI electrónicos 74HCT1G125GW

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Number modelo :74HCT1G125GW

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :7500 piezas

Plazo de expedición :1 día

Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles

Descripción :El almacenador intermediario, No-invirtiendo 1 elemento 1 mordido por el elemento 3-State hizo salir

Voltaje de fuente :−0.5 a +7,0 V

corriente de diodo de la entrada :±20 mA

corriente de diodo de la salida :±20 mA

fuente de la salida o corriente del fregadero :±12.5 mA

Temperatura de almacenamiento :−65 al °C +150

disipación de poder por el paquete :200 mW

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Oferta común (venta caliente)

Número de parte.

Cantidad

Marca

D/C

Paquete

SN74HC541PW	39000	TI	07+	TSSOP-20
SN74HC541PWR	87000	TI	04+	TSSOP-20
SN74HC573AN	9373	TI	16+	DIP-20
SN74HC574N	9444	TI	16+	SOP-20
SN74HC590AN	10493	TI	15+	DIP-16
SN74HC595DWR	17609	TI	02+	SOP-16
SN74LS04N	11203	TI	15+	SOP-14
SN74LS05N	7457	TI	95+	SOP-14
SN74LS07DR	9255	TI	16+	SOP-14
SN74LS07N	14682	TI	16+	DIP-14
SN74LS132N	7428	TI	14+	DIP-14
SN74LS138DR	8860	TI	16+	SOP-16
SN74LS138N	4238	TI	15+	DIP-16
SN74LS145DR	11984	TI	13+	SOP-16
SN74LS148DR	16244	TI	93+	SOP-16
SN74LS153N	6801	TI	84+	DIP-16
SN74LS194N	5146	TI	15+	DIP-16
SN74LS240DWR	8481	TI	16+	SOP-20
SN74LS247N	10272	TI	12+	DIP-16
SN74LS279ADR	4087	TI	10+	SOP-16
SN74LS373N	11274	TI	15+	DIP-20
SN74LS374N	10564	TI	14+	DIP-20
SN74LS76AN	6267	TI	16+	DIP-16
SN74LS83N	10343	TI	13+	DIP-16
SN74LS86AN	16315	TI	14+	DIP-14
SN74LV244ADWR	100000	TI	13+	SOP-20
SN74LV245ADWR	23344	TI	12+	SOP-20
SN74LV4052ADR	35000	TI	16+	SOP-16
SN74LVC04ADR	9000	TI	16+	SOP-14
SN74LVC07ADR	64000	TI	16+	SOP-14

74HC1G125; 74HCT1G125

Almacenador intermediario del autobús/línea conductores; estado 3

CARACTERÍSTICAS

• Gama ancha de 2,0 a 6,0 V del voltaje de fuente

• Impedancia de salida simétrica

• Alta inmunidad de ruido

• Disipación de energía baja

• Retrasos de propagación equilibrados

• Paquete muy pequeño de 5 pernos

• Capacidad de la salida: conductor del autobús.

DESCRIPCIÓN

El 74HC1G/HCT1G125 es un dispositivo de alta velocidad de la Si-puerta Cmos.

El 74HC1G/HCT1G125 provee de una almacenador intermediario/línea conductor de no-inversión salida de 3 estados. La salida de 3 estados es controlada por la salida permite el perno de la entrada (OE). UN ALTO en el perno OE causa la salida como asume un Apagado-estado de alta impedancia.

Las corrientes de salida del conductor del autobús son iguales comparadas al 74HC/HCT125.

VALORES LÍMITES

De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 60134); los voltajes se refieren a la tierra (tierra = 0 V).

SÍMBOLO	PARÁMETRO	CONDICIONES	MÍNIMO.	MÁXIMO.	UNIDAD
VCC	voltaje de fuente		−0.5	+7,0	V
IIK	corriente de diodo de la entrada	VI<> YO > VCC + 0,5 V; nota 1	−	±20	mA
IOK	corriente de diodo de la salida	VO<> O > VCC + 0,5 V; nota 1	−	±20	mA
IO	fuente de la salida o corriente del fregadero	−0.5 V < V="">O < V="">CC + 0,5 V; nota 1	−	±12.5	mA
ICC	VCC o tierra actual	nota 1	−	±25	mA
Tstg	temperatura de almacenamiento		−65	+150	°C
Paladio	disipación de poder por el paquete	para el °C de la gama de temperaturas de −40 a +125; nota 2	−	200	mW

Notas

1. Los grados de la entrada y del voltaje de salida pueden ser excedidos si se observan los grados de la corriente de entrada y de salida.

2. Sobre el °C 55 el valor del paladio reduce la capacidad normal linear con 2,5 mW/K.

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