Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
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Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A

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Number modelo :FDP085N10A
Lugar del origen :América
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5600pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Canal N 100 V 96A (Tc) 188W (Tc) a través del agujero TO-220-3
Drene al voltaje de la fuente :100V
Sola energía pulsada de la avalancha :269mJ
Recuperación máxima dv/dt del diodo :6.0V/ns
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento :-55 a +175°C
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Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A

Características

• RDS (encendido) = 7.35mΩ (tipo.) @ VGS = 10V, identificación = 96A

• Velocidad que cambia rápida

• Carga baja de la puerta

• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (encendido)

• Poder más elevado y capacidad de dirección actual

• RoHS obediente
Descripción general
Este MOSFET del canal N se produce usando el proceso anticipado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado pero mantener funcionamiento que cambia superior.
Uso
• DC a los convertidores de DC

• Rectificación síncrona para la fuente de alimentación de la telecomunicación

• Cargador de batería

• Impulsiones y sistemas de alimentación ininterrumpida del motor de CA

• UPS off-line

Características termales

Símbolo Parámetro Grados Unidades
RθJC Resistencia termal, empalme a encajonar 0,8 °C/W
RθJA Resistencia termal, empalme a ambiente 62,5 °C/W


Características de funcionamiento típicas


Una parte de la lista común

ZM4749A 10000 VISHAY 15+ DO-213AB
ZM4746A 5000 VISHAY 15+ DO-213AB
MURA160T3G 25000 EN 16+ DO-214
MRA4005T3G 20000 EN 16+ DO-214AC
B240A-13-F 5000 DIODOS 15+ SMA
B260A-13-F 5000 DIODOS 16+ SMA
B1100-13-F 10000 DIODOS 16+ SMA
MURA215T3G 40000 EN 16+ DO-214
0603ESDA-TR1 20500 TONELERO 15+ SMD
DL4007-13-F 8100 DIODOS 15+ LL41
BAT54WS 15000 PANJIN 15+ SOD323
DL4004 8160 MCC 15+ LL41
BZX85C15 5000 VISHAY 14+ DO-41
MCR100-6 20000 EN 16+ SOT-23
MUR160RLG 25000 EN 16+ DO-41
BAT42 15000 VISHAY 14+ DO-35
BZX55C12 10000 ST 16+ DO-35
DB3 1275 ST 13+ DO-35
1N4148 9000 ST 16+ DO-35
1N4761A-TAP 9000 VISHAY 15+ DO-41
DL4001-13-F 8190 DIODOS 15+ LL41
PIC16F1823-I/SL 5318 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
P89LPC935FDH 3340 14+ TSSOP
MSS6132-103MLC 6904 COILCRAFT 10+ SMD
MSS1278-184KLD 6897 COILCRAFT 16+ SMD
NLFC453232T-151K 38000 TDK 16+ SMD
PCF8576CT/1 13160 16+ SSOP
LM2940CSX-5.0 10000 NSC 15+ TO-263
LQH43MN470K03L 30000 MURATA 16+ SMD
LQH43CN330K03L 38000 MURATA 16+ SMD
MSS1260-103MLD 6883 COILCRAFT 10+ SMD
FODM121R1 2200 FAIRCHILD 15+ SOP-4
Carro de la investigación 0