Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Nuevo y original conductor dual MIC 4426BN del MOSFET del Bajo-lado 1.5A-Peak

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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Nuevo y original conductor dual MIC 4426BN del MOSFET del Bajo-lado 1.5A-Peak

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Number modelo :MIC4426BN
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :4800pcs
Plazo de expedición :1 día
Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles
Descripción :Conductor IC Inverting 8-PDIP de la puerta del Bajo-lado
Voltaje de fuente :+22V
Voltaje entrado :CONTRA + 0.3V a la tierra – 5V
TEMPERATURA DE EMPALME :150°C
Temperatura de almacenamiento :– 65°C a +150°C
Temperatura de la ventaja (sec 10.) :300°C
Corriente de salida máxima :1.5A
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MIC4426/4427/4428

Conductor dual del MOSFET del Bajo-lado 1.5A-Peak

Descripción general

La familia MIC4426/4427/4428 es conductores duales alto-confiables del MOSFET del lowside fabricados en un proceso de BiCMOS/DMOS para el bajo consumo de energía y la eficacia alta. Estos conductores traducen TTL o el Cmos entró niveles de la lógica para hacer salir los niveles voltaicos que balancean dentro de 25mV de la fuente o de la tierra positiva. Los elementos bipolares comparables son capaces del balanceo solamente dentro de 1V de la fuente. El MIC4426/7/8 está disponible en tres configuraciones: inversión dual, el noninverting dual, y uno que invierte más una salida noninverting. Los MIC4426/4427/4428 son reemplazos perno-compatibles para el MIC426/427/428 y el MIC1426/1427/1428 con funcionamiento eléctrico mejorado y diseño rugoso (refiera a las listas del reemplazo del dispositivo en la página siguiente). Pueden soportar hasta 500mA de la corriente reversa (tampoco polaridad) sin el enganche y hasta los puntos de ruido 5V (cualquier polaridad) en los pernos de tierra.

Previsto sobre todo para los MOSFETs del poder de conducción, los conductores MIC4426/7/8 son convenientes para conducir otras cargas (capacitivo, resistente, o inductivo) que requieran la corriente máxima de baja impedancia, alta, y el tiempo que cambia rápido. Otros usos incluyen la conducción de líneas pesadamente cargadas del reloj, de los cables coaxiales, o de los transductores piezoeléctricos. La única limitación de la carga es que la disipación de poder total del conductor no debe exceder los límites del paquete.

Características

• Construcción de Bipolar/CMOS/DMOS

• Protección del cierre-para arriba a la corriente del revés de >500mA

• corriente de salida 1.5A-peak

• 4.5V al rango de operación 18V

• Corriente quieta baja de la fuente

4mA en la lógica 1 entrada

400µA en la lógica 0 entradas

• Interruptores 1000pF en 25ns

• Tiempos hechos juego de la subida y del rall

• impedancia de salida 7Ω

• < 40ns="" typical="" delay="">

• independiente del umbral de la Lógica-entrada del voltaje de fuente

• protección de la Lógica-entrada – a 5V

• capacitancia equivalente típica de la entrada 6pF

• compensación máxima de la salida 25mV de la fuente o de la tierra

• Substituye MIC426/427/428 y MIC1426/1427/1428

• Inversión dual, el noninverting dual, e inversión de configuraciones noninverting

• Protección del ESD

Usos

• Conductor del MOSFET

• Línea conductor del reloj

• Conductor de cable coaxil

• Conductor del transductor de Piezoelectic

Diagrama funcional

Pin Configuration

Pin Description

Pin Number Pin Name Pin Function
1,8 NC no no internamente conectado
2 INA El control entró A: Entrada compatible de la lógica de TTL/CMOS.
3 Tierra Tierra
4 INB El control entró B: Entrada compatible de la lógica de TTL/CMOS.
5 OUTB Salida B: Salida del tótem del Cmos.
6 CONTRA Entrada de la fuente: +4.5V a +18V
7 OUTA Salida A: Salida del tótem del Cmos.

Grados máximos absolutos (nota 1)

Voltaje de fuente (CONTRA) .................................................... +22V

Voltaje entrado (VIN) ......................... CONTRA + 0.3V a la tierra – 5V

Temperatura de empalme (TJ) ........................................ 150°C

Temperatura de almacenamiento ............................... – 65°C a +150°C

Temperatura de la ventaja (sec 10.) ...................................... 300°C

Grado del ESD, nota 3

Grados de funcionamiento (nota 2)

Voltaje de fuente (CONTRA) ..................................... +4.5V a +18V

Gama de temperaturas (TA)

(a) ........................................................ – 55°C a +125°C

(b) .......................................................... – 40°C a +85°C

Resistencia termal del paquete

ΘJA ............................................................ 130°C/W de PDIP

ΘJC ............................................................. 42°C/W de PDIP

ΘJA ........................................................... 120°C/W de SOIC

ΘJC ............................................................. 75°C/W de SOIC

ΘJC ......................................................... 250°C/W de MSOP

Circuitos de la prueba

Carro de la investigación 0