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MIC4426/4427/4428
Conductor dual del MOSFET del Bajo-lado 1.5A-Peak
Descripción general
La familia MIC4426/4427/4428 es conductores duales alto-confiables del MOSFET del lowside fabricados en un proceso de BiCMOS/DMOS para el bajo consumo de energía y la eficacia alta. Estos conductores traducen TTL o el Cmos entró niveles de la lógica para hacer salir los niveles voltaicos que balancean dentro de 25mV de la fuente o de la tierra positiva. Los elementos bipolares comparables son capaces del balanceo solamente dentro de 1V de la fuente. El MIC4426/7/8 está disponible en tres configuraciones: inversión dual, el noninverting dual, y uno que invierte más una salida noninverting. Los MIC4426/4427/4428 son reemplazos perno-compatibles para el MIC426/427/428 y el MIC1426/1427/1428 con funcionamiento eléctrico mejorado y diseño rugoso (refiera a las listas del reemplazo del dispositivo en la página siguiente). Pueden soportar hasta 500mA de la corriente reversa (tampoco polaridad) sin el enganche y hasta los puntos de ruido 5V (cualquier polaridad) en los pernos de tierra.
Previsto sobre todo para los MOSFETs del poder de conducción, los conductores MIC4426/7/8 son convenientes para conducir otras cargas (capacitivo, resistente, o inductivo) que requieran la corriente máxima de baja impedancia, alta, y el tiempo que cambia rápido. Otros usos incluyen la conducción de líneas pesadamente cargadas del reloj, de los cables coaxiales, o de los transductores piezoeléctricos. La única limitación de la carga es que la disipación de poder total del conductor no debe exceder los límites del paquete.
Características
• Construcción de Bipolar/CMOS/DMOS
• Protección del cierre-para arriba a la corriente del revés de >500mA
• corriente de salida 1.5A-peak
• 4.5V al rango de operación 18V
• Corriente quieta baja de la fuente
4mA en la lógica 1 entrada
400µA en la lógica 0 entradas
• Interruptores 1000pF en 25ns
• Tiempos hechos juego de la subida y del rall
• impedancia de salida 7Ω
• < 40ns="" typical="" delay="">
• independiente del umbral de la Lógica-entrada del voltaje de fuente
• protección de la Lógica-entrada – a 5V
• capacitancia equivalente típica de la entrada 6pF
• compensación máxima de la salida 25mV de la fuente o de la tierra
• Substituye MIC426/427/428 y MIC1426/1427/1428
• Inversión dual, el noninverting dual, e inversión de configuraciones noninverting
• Protección del ESD
Usos
• Conductor del MOSFET
• Línea conductor del reloj
• Conductor de cable coaxil
• Conductor del transductor de Piezoelectic
Diagrama funcional
Pin Configuration
Pin Description
Pin Number | Pin Name | Pin Function |
1,8 | NC | no no internamente conectado |
2 | INA | El control entró A: Entrada compatible de la lógica de TTL/CMOS. |
3 | Tierra | Tierra |
4 | INB | El control entró B: Entrada compatible de la lógica de TTL/CMOS. |
5 | OUTB | Salida B: Salida del tótem del Cmos. |
6 | CONTRA | Entrada de la fuente: +4.5V a +18V |
7 | OUTA | Salida A: Salida del tótem del Cmos. |
Grados máximos absolutos (nota 1)
Voltaje de fuente (CONTRA) .................................................... +22V
Voltaje entrado (VIN) ......................... CONTRA + 0.3V a la tierra – 5V
Temperatura de empalme (TJ) ........................................ 150°C
Temperatura de almacenamiento ............................... – 65°C a +150°C
Temperatura de la ventaja (sec 10.) ...................................... 300°C
Grado del ESD, nota 3
Grados de funcionamiento (nota 2)
Voltaje de fuente (CONTRA) ..................................... +4.5V a +18V
Gama de temperaturas (TA)
(a) ........................................................ – 55°C a +125°C
(b) .......................................................... – 40°C a +85°C
Resistencia termal del paquete
ΘJA ............................................................ 130°C/W de PDIP
ΘJC ............................................................. 42°C/W de PDIP
ΘJA ........................................................... 120°C/W de SOIC
ΘJC ............................................................. 75°C/W de SOIC
ΘJC ......................................................... 250°C/W de MSOP
Circuitos de la prueba