Photocoupler de TOSHIBA infrarrojo LED + foto IC TLP550
Aislamiento de la lógica de Degital Unidad en el milímetro
Línea control de reacción del receptor
Control de la fuente de alimentación
Fuente de alimentación que cambia
Inversor del transistor
TLP550 construye un alto diodo de emisión y un transistor del diode− de la foto de un microprocesador.
TLP550 no tiene ninguna conexión baja, y es conveniente para el uso en la condición ambiental ruidosa.
Esta unidad es paquete de la INMERSIÓN 8−lead.
- ¿? Voltaje del aislamiento: ¿2500 Vrms (mínimo)?
- Velocidad que cambia: ¿tpHL, tpLH = 0.5µs (tipo.) (kΩ RL=1.9)?
- ¿TTL compatible?
- La UL reconoció: UL1577, no. E67349 pi del fichero
Pin Configuration (visión superior) Diagrama esquemático
Grados máximos (TA = 25°C)
| Característica |
Símbolo |
Grado |
Unidad |
| LED |
Corriente delantera (Nota 1) |
SI |
25 |
mA |
| Pulse adelante actual (Nota 2) |
IFP |
50 |
mA |
| Corriente delantera transitoria máxima (Nota 3) |
IFPT |
1 |
|
| Voltaje reverso |
VR |
5 |
V |
| Disipación de poder del diodo (Nota 4) |
Paladio |
45 |
mW |
| Detector |
Corriente de salida |
IO |
8 |
mA |
| Corriente de salida máxima |
IOP |
16 |
mA |
| Voltaje de fuente |
VCC |
¿-? 0.5~15 |
V |
| Voltaje de salida |
Vo |
¿-? 0.5~15 |
V |
| Disipación de potencia de salida (Nota 5) |
PO |
100 |
mW |
| Gama de temperaturas de funcionamiento |
Topr |
¿? - 55~100 |
°C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento |
Tstg |
¿? - 55~125 |
°C |
| Temperatura de la soldadura de la ventaja (10s) |
Tsol |
260 |
°C |
| Voltaje del aislamiento (CA, 1min., derecha los = 40~60%) (Nota 6) |
BVS |
2500 |
Vrms |
(La nota 1) reduce la capacidad normal de 0.8mA sobre 70°C.
(Ciclo de trabajo de la nota 2) el 50%, anchura de pulso 1ms. Reduzca la capacidad normal de 1.6mA/del °C sobre 70°C.
(Anchura de pulso de la nota 3) 1µs, 300pps.
(La nota 4) reduce la capacidad normal de 0.9mW/del °C sobre 70°C.
(La nota 5) reduce la capacidad normal de 2mW/del °C sobre 70°C.
