Atenuador de Digitaces, 30 DB, gigahertz de 4-Bit DC-2.0 AT-220
Características Diagrama esquemático funcional
• Pasos de la atenuación 2-dB a DB 30
• Alta exactitud
• Producto bajo de la intermodulación: +50 dBm IP3
• Consumo bajo de la corriente continua: µW 50
• Paquete plástico SOIC-16
• Empaquetado de la cinta y del carrete disponible
• Estabilidad de temperatura +/--0,15 DB: -40°C a +85°C
Descripción
M/A-COM AT-220 es 4 un pedazo, atenuador digital del GaAs MMIC del paso 2-dB en un paquete plástico del soporte de la superficie de la ventaja del bajo costo SOIC 16. El AT-220 se adapta idealmente para el uso donde se requieren la alta exactitud, la transferencia rápida, el mismo bajo consumo de energía y los productos bajos de la intermodulación. Los usos típicos incluyen el equipo de radio y celular, LANs inalámbrico, el equipo de GPS y otros circuitos del aumento/de control llano.
El AT-220 se fabrica con un GaAs monolítico MMIC usando un proceso maduro de 1 micrón. El proceso ofrece
estabilización completa del microprocesador para el funcionamiento y la confiabilidad crecientes.
Pin Configuration
| Pin No. |
Función |
Pin No. |
Función |
| 1 |
VC1 |
9 |
RF2 |
| 2 |
VC1 |
10 |
Tierra |
| 3 |
VC2 |
11 |
Tierra |
| 4 |
VC2 |
12 |
Tierra |
| 5 |
VC3 |
13 |
Tierra |
| 6 |
VC3 |
14 |
Tierra |
| 7 |
VC4 |
15 |
Tierra |
| 8 |
VC4 |
16 |
RF1 |
Grados máximos absolutos 1
| Parámetro |
Máximo absoluto |
|
Energía entrada:
50 megaciclos
500-2000 megaciclo
|
dBm +27
dBm +34
|
| Voltaje del control |
-8,5 ≤ 5V del ≤ VC de V |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C a +85°C |
| Temperatura de almacenamiento |
-65°C a +150°C |
1. Exceder cualquier o combinación de estos límites puede causar permanente
daño a este dispositivo.
Especificaciones eléctricas: TA = 25°C, VC = 0 V/−5 V, Z0 = Ω 50
| Parámetro |
Condiciones de prueba |
Frecuencia |
Unidades |
Minuto |
Tipo |
Máximo |
| Pérdida de inserción (estado de la referencia) |
|
DC - 0,5 gigahertz
DC -1,0 gigahertz
DC -2,0 gigahertz
|
DB
DB
DB
|
--
--
--
|
1,5
1,6
1,8
|
1,7
1,8
2,1
|
| Exactitud 2 de la atenuación |
|
DC -1,0 gigahertz
DC -2,0 gigahertz
|
DB del ± (0,15 DB el + 3% del ajuste de Atten en el DB)
DB del ± (0,30 DB el + 4% del ajuste de Atten en el DB)
|
| VSWR |
|
|
Ratio |
-- |
1.2:1 |
-- |
| Trise, Tfall |
el 10% hasta el 90% RF, el 90% hasta el 10% RF |
-- |
nS |
-- |
12 |
-- |
| Tonelada, ricachón |
Control del 50% hasta el 90% RF,
Control del 50% hasta el 10% RF
|
-- |
nS |
-- |
18 |
-- |
| Transeúntes |
En-banda |
-- |
milivoltio |
-- |
25 |
-- |
| 1 compresión del DB |
Energía entrada
Energía entrada
|
0,05 gigahertz
0,5 - 2,0 gigahertz
|
dBm del dBm |
--
--
|
20
28
|
--
--
|
| IP2 |
Medido en relación con energía entrada
(Para el dBm bicolor hasta +5 de la energía de entrada)
|
0,05 gigahertz
0,5 - 2,0 gigahertz
|
dBm del dBm |
--
--
|
45
68
|
--
--
|
| IP3 |
Medido en relación con energía entrada
(Para el dBm bicolor hasta +5 de la energía de entrada)
|
0,05 gigahertz
0,5 - 2,0 gigahertz
|
dBm del dBm |
--
--
|
40
50
|
--
--
|
| Control actual |
|VC| = 5 V |
|
µA |
-- |
|
100 |
2. Las especificaciones de la exactitud de la atenuación se aplican con control diagonal negativo y poner a tierra de baja inductancia.
SOIC-16
Curvas de funcionamiento típicas
