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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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Transistor sin plomo del Mosfet del canal N, transistor de alta velocidad IRF640NPBF del Mosfet de 200V 18A

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Number modelo :IRF640NPBF

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :100000pcs

Plazo de expedición :1-3days

Detalles de empaquetado :CAJA

Descripción :Canal N 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220AB

Serie :MOSFET N-CH del transporte

Uso :Usos Comercial-industriales

Paquete :Transporte de la INMERSIÓN

Voltaje :200V

Calidad :En-resistencia baja por el silicio

Actual :18A

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Canal N 200V 18A del transporte de la INMERSIÓN de IRF640NPBF que cambia el transistor de poder del MOSFET

Descripción

El MOSFET s del poder del ® de la quinta generación HEXFET del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
La D2Pakesunpaquetesuperficialdelpoderdelsoportecapazdeacomodara morirlostamañoshastaHEX-4. Proporcionalacapacidaddelpodermás altoyelposiblemás bajoenresistenciaencualquierpaquetesuperficialexistentedelsoporte. LaD2Pakesconvenienteparalosusosde gran intensidaddebido asuresistenciainternabajade laconexiónypuededisiparsehasta2.0Wenunusosuperficialtípicodelsoporte.
La versión del por-agujero (IRF640NL) está disponible para el uso discreto.

Característica

l avanzó tecnología de proceso

l grado dinámico de dv/dt
l 175°C que actúa emperature de T

l transferencia rápida

l completamente avalancha clasificada
l facilidad de ser paralelo a
l requisitos simples de la impulsión

l sin plomo

Paquete

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