Conductores Ic Chip Half-Bridge Gate Driver IC 14-DIP del MOSFET y de IGBT del poder de IR2110PBF
Descripción
Los IR2110/IR2113 son MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y los conductores de IGBT con el lado independiente del cielo y tierra se refirieron a los canales de salida. HVIC propietarios y trabar tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. Las entradas de la lógica son compatibles con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. Los retrasos de propagación se hacen juego para simplificar uso en usos de alta frecuencia. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 500 o 600 voltios.
Característica:
• Canal de flotación diseñado para la operación del tirante completamente - operativa a +500V o a +600V tolerante al voltaje transitorio negativo dV/dt inmune
• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V
• Cierre del Undervoltage para ambos canales
• gama separada compatible de la fuente de la lógica de la lógica 3.3V de 3.3V a la compensación de la tierra ±5V de la lógica 20V y del poder
• El Cmos Schmitt-accionó entradas con tirón-abajo
• Ciclo por lógica borde-accionada ciclo del cierre
• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
• Salidas en fase con las entradas
Artículo de la serie:
Máximo 500V de VOFFSET (IR2110).
(IR2113) máximo 600V.
INFORMACIÓN DE LA ORDEN
orden IR2110PbF de 14-Lead PDIP IR2110
orden IR2113PbF de 14-Lead PDIP IR2113
orden IR2110SPbF de 16-Lead SOIC IR2110S
orden IR2113SPbF de 16-Lead SOIC IR2113S
