• Frecuencia de reloj: 200, 166, 143, 133 megaciclos
• Completamente síncrono; todas las señales se refirieron a un borde de reloj positivo
• Banco interno para el acceso/la precarga de ocultación de la fila
• Sola fuente de alimentación 3.3V
• Interfaz de LVTTL
• Longitud estallada programable
– (1, 2, 4, 8, página completa)
• Secuencia estallada programable: Secuencial/interpolación
• El uno mismo restaura modos
• El auto restaura (CBR)
• 4096 restauran ciclos cada grado (COM, Ind, A1) ms de 64 o 16ms (el grado A2)
• Dirección de columna al azar cada ciclo de reloj
• Estado latente programable de CAS (2, 3 relojes)
• De lectura/grabación estallada y la explosión leída/solos escriben capacidad de operaciones
• Terminación de la explosión por la parada y el comando estallados de la precarga
Descripción
El 64Mb SDRAM es un Cmos de alta velocidad, memoria de acceso aleatorio dinámica diseñada para actuar en los sistemas de memoria 3.3V que contienen 67.108.864 pedazos. Internamente configurado como COPITA del patio-banco con un interfaz síncrono. Cada banco mordido 16.777.216 es organizado como 4.096 filas por 256 columnas por 16 pedazos. El 64Mb SDRAM incluye un AUTO RESTAURA MODO, y un poder-ahorro, modo del poder-abajo. Todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK. Todas las entradas y salidas son LVTTL compatibles. El 64Mb SDRAM tiene la capacidad de estallar síncrono datos a una alta tarifa con la generación automática de la columna-dirección, la capacidad de datos de interpolar entre los bancos internos para ocultar tiempo de la precarga y la capacidad para cambiar aleatoriamente direcciones de columna en cada ciclo de reloj durante el acceso estallado. Una precarga uno mismo-sincronizada de la fila iniciada en el final del sequenceisavailablewiththeAUTOPRECHARGEfunction estallado permitió. Precargue un banco mientras que el acceso de uno de los otros tres bancos ocultará los ciclos de la precarga y proporcionará la operación inconsútil, de alta velocidad, de acceso aleatorio. SDRAM leyó y escribe accesos es el comenzar orientado explosión en una ubicación seleccionada y continuación para un número programado de ubicaciones en una secuencia programada. El registro de un comando ACTIVO comienza los accesos, seguidos por una LECTURA o ESCRIBE comando. El comando ACTIVO conjuntamente con los pedazos de la dirección registradoes se utiliza para seleccionar el banco y la fila que se alcanzarán (BA0, BA1 seleccionan el banco; A0-A11 seleccionan la fila). La LECTURA o ESCRIBIR comandos conjuntamente con los pedazos de la dirección registradoes se utiliza para seleccionar la ubicación de la columna que comienza para el acceso estallado. La LECTURA programable o ESCRIBE longitudes estalladas consiste en 1, 2, 4 y 8 ubicaciones, o la página completa, con una explosión para terminar la opción.
