El FM25CL64B es una memoria no volátil de 64 kilobits que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado.Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras como una RAM.Proporciona una retención de datos confiable durante 38 años al tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados por EEPROM y otras memorias no volátiles.
El FM25CL64B realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus.No se incurre en retrasos de escritura.Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se haya transferido con éxito al dispositivo.El siguiente ciclo de bus puede comenzar inmediatamente sin necesidad de sondeo de datos.Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.El FM25CL64B es capaz de admitir 1014 ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que la EEPROM.
Estas capacidades hacen que el FM25CL64B sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil que requieren escrituras frecuentes o rápidas.Los ejemplos van desde la recopilación de datos, donde el número de ciclos de escritura puede ser crítico, hasta controles industriales exigentes donde el largo tiempo de escritura de la EEPROM puede provocar la pérdida de datos.
El FM25CL64B brinda beneficios sustanciales a los usuarios de EEPROM en serie como reemplazo directo de hardware.El FM25CL64B utiliza el bus SPI de alta velocidad, que mejora la capacidad de escritura de alta velocidad de la tecnología F-RAM.Las especificaciones del dispositivo están garantizadas en un rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
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