Este 40 V, 2,5 mΩ, MOSFET del poder del milímetro NexFETTM del × 6 del HIJO 5 se han diseñado para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.

Resumen del producto

TA = 25°C		VALOR TÍPICO		UNIDAD
VDS	Voltaje de la Dren-a-fuente	40		V
Qg	Total de la carga de la puerta (4,5 V)	20		nC
Qgd	Puerta-a-dren de la carga de la puerta	5,9		nC
RDS (encendido)	En-resistencia de la Dren-a-fuente	VGS = 4,5 V	3,3	mΩ
RDS (encendido)	En-resistencia de la Dren-a-fuente	VGS =10V	2,5	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral	1,8		V

Información el ordenar (1)

Dispositivo	Qty	Medios	Paquete	Nave
CSD18501Q5A	2500	carrete 13-Inch	HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros	Cinta y carrete
CSD18501Q5AT	250	carrete 7-Inch	HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros	Cinta y carrete

Grados máximos absolutos

TA = 25°C		VALOR	UNIDAD
VDS	Voltaje de la Dren-a-fuente	40	V
VGS	Voltaje de la Puerta-a-fuente	±20	V
Identificación	Corriente continua del dren (paquete limitado)	100
	Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C	161
	Continuo drene (1) actual	22
IDM	Corriente pulsada del dren (2)	400
Paladio	Disipación de poder (1)	3,1	W
Paladio	Disipación de poder, TC = 25°C	150	W
TJ, Tstg	Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento	– 55 a 150	°C
EAS	Energía de la avalancha, sola identificación =68A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso	231	mJ

MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 40V del transistor de poder del Mosfet de CSD18501Q5A

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Microprocesadores del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de poder de IGBT

Chips CI del amplificador

chips CI electrónicos

Componentes electrónicos

MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 40V del transistor de poder del Mosfet de CSD18501Q5A

p55nfo power mosfet

power mosfet datasheet

irf520 mosfet