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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2

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Number modelo :CSD13202Q2

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :WSON-6

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :4,5 V

Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente :580 milivoltio

Rds en - resistencia de la Dren-fuente :9,3 mOhms

Identificación - Corriente continua del dren :A 14,4

Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :12 V

Qg - carga de la puerta :5,1 nC

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MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2

Características 1

Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Avalancha clasificada
Galjanoplastia terminal sin plomo
RoHS obediente
Halógeno libre
HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros

2 usos

Optimizado para los usos del interruptor de la carga
Almacenamiento, tabletas, y dispositivos de bolsillo
Optimizado para los usos del FET del control
Punto de la carga Buck Converters síncrono

Descripción 3

Este 12-V, MOSFET del poder de NexFETTM de 7,5 mΩ se ha diseñado para minimizar pérdidas en usos de la gestión de la conversión y de la carga de poder. El funcionamiento termal excelente de las ofertas del × 2 del HIJO 2 para el tamaño del paquete.

Resumen del producto

TA = 25°C		VAUE TÍPICO		UNIDAD
VDS	Voltaje de la Dren-a-fuente	12		V
Qg	Total de la carga de la puerta (4,5 V)	5,1		nC
Qgd	Puerta-a-dren de la carga de la puerta	0,76		nC
RDS (encendido)	En-resistencia de la Dren-a-fuente	VGS = 2,5 V	9,1	mΩ
		VGS = 4,5 V	7,5
VGS (th)	Voltaje del umbral	0,8		V

Información del dispositivo

DISPOSITIVO	MEDIOS	QTY	PAQUETE	NAVE
CSD13202Q2	carrete 7-Inch	3000	HIJO 2,00 milímetros de × paquete plástico de 2,00 milímetros	Cinta y carrete

Grados máximos absolutos

TA = 25°C		VALOR	UNIDAD
VDS	Voltaje de la Dren-a-fuente	12	V
VGS	Voltaje de la Puerta-a-fuente	±8	V
Identificación	Corriente continua del dren (límite del paquete)	22
Identificación	Corriente continua del dren (1)	14,4
IDM	Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2)	76
Paladio	Disipación de poder (1)	2,7	W
TJ, TSTG	Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento	– 55 a 150	°C
EAS	Energía de la avalancha, sola identificación =20A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso	20	mJ

MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Microprocesadores del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de poder de IGBT

Chips CI del amplificador

chips CI electrónicos

Componentes electrónicos

MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2

ag726 mosfet

mosfet stw20nm50fd

mosfet 2n7000